Opis produktu: Tranzystor P-MOSFET IRF4905 -55 V / -74 A - THT
Tranzystor IRF4905 to wysokoprądowy komponent elektroniczny typu P-MOSFET o maksymalnym napięciu dren-źródło wynoszącym -55 V i maksymalnym prądzie drenu sięgającym -74 A przy temperaturze 25°C. Napięcie progowe tego tranzystora mieści się w zakresie od -2 V do -4 V, a maksymalne napięcie różnicy napięć między bramką a źródłem wynosi ±20 V. Charakteryzuje się także mocą strat na poziomie 200 W oraz rezystancją w stanie włączenia 0,02 Ω przy napięciu bramka-źródło -10 V, co zapewnia wysoką wydajność przy przewodzeniu dużych prądów. Tranzystor IRF4905 jest idealny do zastosowań, gdzie konieczne jest sterowanie dużymi prądami przy niskich napięciach, zapewniając jednocześnie stabilność termiczną oraz wysoką niezawodność. Więcej informacji na temat tranzystora IRF4905 znajdziesz na naszym blogu.
Sprawdź także inne rodzaje tranzystorów dostępnych w naszej ofercie.
Tranzystor P-MOSFET IRF4905 -55 V / -74 A - THT.
Maksymalna temperatura pracy tranzystora to 175°C.
Specyfikacja tranzystora IRF4905
- Typ tranzystora: P-MOSFET
- Napięcie dren-źródło (Vds): -55 V
- Prąd drenu (Id): -74 A dla 25°C
- Napięcie progowe bramki (Vgs(th)): od -2 V do -4 V
- Maksymalne napięcie różnicy napięć bramki i źródła (Vgs): ±20 V
- Maksymalna moc strat: 200 W
- Maksymalna temperatura pracy: 175°C
- Rezystancja w stanie włączenia: 0,02 Ω dla różnicy napięć bramki i źródła (Vgs) -10 V
- Obudowa: TO-220AB
Przydatne linki |
