Opis produktu: Tranzystor P-MOSFET IRF9Z34 - THT- 5 szt.
Tranzystor unipolarny P-MOSFET IRF9Z34. Maksymalne napięcie VDSS tranzystora wynosi -55 V, a jego prąd drenu to maksymalnie -19 A. Układ został zamknięty w obudowie TO-220 o montażu przewlekanym THT.
Tranzystor P-MOSFET IRF9Z34 THT – 5 szt. – efektywne sterowanie prądem
Tranzystor P-MOSFET IRF9Z34 THT to wysokiej klasy komponent elektroniczny zaprojektowany z myślą o wymagających zastosowaniach. Wykorzystanie tego elementu pozwala na skuteczne sterowanie prądem w różnych aplikacjach i układach. Jest to tranzystor polowy typu P-MOSFET, który charakteryzuje się przede wszystkim bardzo niską wartością oporu przewodzenia w stanie nasycenia. W praktyce oznacza to, że może on przewodzić bardzo duże prądy przy jednoczesnym zachowaniu niskiego poziomu strat mocy.
Jakie są zalety tranzystora P-MOSFET IRF9Z34 THT?
Tranzystor P-MOSFET IRF9Z34 jest wyposażony w obudowę THT („Through-Hole Technology”), dzięki czemu jego montaż na płytce drukowanej jest bardzo łatwy. W tym celu wystarczy przewlec wyprowadzenia przez otwory, a następnie przylutować je z drugiej strony płytki. Dużą zaletą są także jego kompaktowe rozmiary i wysoka efektywność prądu przy niskim oporze. To sprawia, że będzie to idealny wybór do sterowania odbiornikami dużej mocy w różnych projektach elektronicznych. Do tego dochodzi również wysoka wytrzymałość mechaniczna, trwałość, wydajność oraz duża żywotność. Tranzystor IRF9Z34 THT sprawdzi się zarówno dla profesjonalistów, jak i osób, które dopiero stawiają pierwsze kroki w świecie elektroniki, automatyki i robotyki. Przed rozpoczęciem użytkowania tego komponentu zachęcamy do zapoznania się z wszystkimi zaleceniami producenta dotyczącymi przechowywania, montażu i eksploatacji.
Specyfikacja tranzystora IRF9Z34
- Maksymalny prąd drenu Id: - 19 A
- Maksymalne napięcie VDSS: - 55 V
- Rezystancja kanału Rds(on): 0,1 Ohm
- Obudowa: TO-220
Szczegóły w dokumentacji.
Elementy sprzedawane w pakiecie po 5 sztuk.
Tranzystor P-MOSFET IRF9Z34.
