Opis produktu: Tranzystor bipolarny NPN BC639 80 V / 1 A - 5 szt.
Tranzystor bipolarny w obudowie TO92 to półprzewodnikowy element elektroniczny, mający zdolność wzmacniania sygnału elektrycznego.
BC639 - prosty w użyciu i wszechstronny tranzystor bipolarny NPN
Tranzystor bipolarny NPN BC639 sprawdzi się w takich aplikacjach jak tego np. układy przetwornic napięcia DC/DC podwyższających napięcie, a także stopnie mocy wzmacniaczy audio. Prosta implementacja elementu oraz niewielka ilość elementów pomocniczych pozwala na zaoszczędzenie czasu i kosztów związanych z projektowaniem układów elektronicznych opartych częściowo lub całkowicie na elementach dyskretnych. Maksymalny prąd kolektor-emiter w ciągłym trybie pracy (w stanie nasycenia) dla tranzystora BC639 wynosi 1A, a maksymalne napięcie kolektor-emiter (w stanie wyłączenia tranzystora) wynosi 80V. Przy wzmożonym przepływie prądu przez tranzystor, zalecany jest montaż do radiatora - tranzystor BC639 może rozpraszać maksymalnie 1W mocy - przeciążenie tranzystora może spowodować jego trwałe uszkodzenie.
Sterowanie tranzystorem bipolarnym NPN BC639
Tranzystor bipolarny NPN BC639 jest przyrządem półprzewodnikowym sterowanym prądowo - w przeciwieństwie do tranzystorów polowych (takich jak np. N-MOSFET IRFZ44N), które są elementami sterowanymi napięciowo. Kiedy do bazy tranzystora bipolarnego nie dopływa prąd, znajduję się on w stanie odcięcia, tj. przez złącze kolektor-emiter prąd nie płynie - aby wprowadzić tranzystor bipolarny w stan przewodzenia, należy wobec tego wysterować jego bazę. Typowo, maksymalne wzmocnienie prądowe dla tranzystora BC639 wynosi 160, a maksymalny zakres częstotliwości przełączania wynosi 100MHz.
Specyfikacja tranzystorów bipolarnych NPN BC639 80 V / 1 A - 5 szt.
- Tranzystor bipolarny NPN
- Napięcie maksymalne kolektor-emiter: 80 V
- Prąd kolektora: 1000 mA
- Układ wyprowadzeń: ECB
- Obudowa: TO92 (DIP)
W ofercie posiadamy tranzystory o różnych parametrach.
