- EOL
|
Uwaga! Sprzedaż produktu została zakończona. Sprawdź inne w tej kategorii. |
Tranzystor N-MOSFET BS170 - THT - 4 szt.
Tranzystor unipolarny typu N-MOSFET o parametrach VDS 60 V, ID 0,3 A oraz rezystancji 5Ω. Komponent umieszczony został w małej obudowie TO-92.
Specyfikacja tranzystora N-MOSFET IRFZ34N
- Maksymalny prąd drenu Id: 29 A
- Maksymalne napięcie VDSS: 55 V
- Rezystancja kanału Rdson: 0,040 Ω
- Obudowa: TO-92
Tranzystor unipolarny w obudowie TO-92.
|
Elementy sprzedawane w pakiecie po 4 sztuki. |
Tranzystor N-MOSFET BS170 w obudowie TO92
BS170 to tranzystor unipolarny MOSFET z kanałem wzbogacanym typu N. Jego zakres zastosowań obejmuje przełączanie sygnałów o małej mocy. Maksymalny prąd drenu jaki może przełączać tranzystor BS170, wynosi 500mA przy rezystancji kanału dren-źródło wynoszącej 5Ω i napięciu bramka-źródło na poziomie 10V. Tranzystor BS170 jest umieszczony w obudowie TO92 przeznaczonej do montażu przewlekanego (THT).
Tranzystor N-MOSFET BS170 - THT - 4 szt. - przykładowe zastosowania
Tranzystor N-MOSFET BS170 jest przyrządem półprzewodnikowym, który znajduje zastosowanie m.in. w układach przełączających odbiorniki małej mocy, tj. miniaturowe silniki, źródła światła, przekaźniki, generatory akustyczne, układy próbkująco-pamiętające i wiele innych. Sygnał sterujący można podać bezpośrednio pomiędzy bramkę a źródło tranzystora, pamiętając, aby nie przekraczał 20V. Pomiędzy bramkę a masę zasilania, zalecane jest podłączenie dodatkowego rezystora 10k, który umożliwi szybkie rozładowanie pojemności bramki przy wysokich częstotliwościach przełączania.
