W tej kategorii znajdziesz szeroki wybór tranzystorów unipolarnych MOSFET z kanałem typu N. To elementy elektroniczne, których zadaniem jest sterowanie przepływem energii elektrycznej na skutek odpowiednich działań. Po podaniu odpowiedniego sygnału elektrycznego tranzystor zaczyna przewodzić prąd do podłączonego urządzenia. Dzięki temu może służyć za rodzaj włącznika i wyłącznika. Szczególnie często używa się takich narzędzi w cyfrowych układach elektronicznych - na przykład w sytuacji, w której wskutek działań mikroprocesora wynikiem ma być załączenie odpowiednich diod LED. Nie powinny one być zasilane sygnałami bezpośrednio z układu logicznego - ten powinien podawać niewielki sygnał do tranzystora, który przepuści odpowiednie napięcie zasilające diody elektroluminescencyjne. Bardzo dużą przewagą tranzystorów unipolarnych MOSFET w stosunku do tranzystorów bipolarnych jest ich bardzo krótki czas oczekiwania na reakcję (dzięki temu, że zachodzące procesy są elektrostatyczne). Ta zaleta sprawia, że są powszechnie wykorzystywane i bardzo cenione przez doświadczonych elektroników - stanowią podstawę wielu cyfrowych urządzeń.
- Nowość!
- Darmowa dostawa
- Nowość!
- Darmowa dostawa
- Nowość!
- Darmowa dostawa
- Nowość!
- Darmowa dostawa
Zamel Supla mSLW-01 - sterownik LED RGBW WiFi - aplikacja Android/iOS
Indeks: ZML-24947
- Nowość!
- Darmowa dostawa
- Nowość!
- Darmowa dostawa
Grot Q-T-0.8D do stacji lutowniczych Quick - seria 960-0.8D
Indeks: QCK-24762
- Nowość!
- Darmowa dostawa
Filament Sunlu PLA Meta 1,75mm 1kg - Lemon Yellow
Indeks: SLU-24163
- Obniżka
- Darmowa dostawa
- Promocja
- Obniżka
- Darmowa dostawa
- Promocja
- Obniżka
- Darmowa dostawa
- Promocja
- Obniżka
- Darmowa dostawa
- Promocja
- Obniżka
- Darmowa dostawa
- Promocja
Organizer z regulowanymi przegródkami - SparkFun PRT-13867
Indeks: SPF-24486
- Obniżka
- Darmowa dostawa
- Promocja
Filament Devil Design PLA 1,75mm 1kg - Bright Green
Indeks: DEV-14099
- Obniżka
- Darmowa dostawa
- Promocja
N MOSFET
Ilość produktów: 13
Loading...
Tranzystor N-MOSFET IRF520NPBF - THT - 5szt.
Vds: 100 V. Id: 9,7 A. Rdson: 0,2 Ω. Obudowa: TO-220.
Indeks: UCC-02610
Indeks: UCC-02610
- Darmowa dostawa
Tranzystor N-MOSFET IRFZ44N 55V/41A - THT - 5szt.
Vds: 55 V. Id: 41 A. Moc: 83 W. Rds: 0,0175 Ω. Obudowa TO-220. Tranzystory sprzedawane są w zestawie po 5 sztuk.
Indeks: KAB-06494
Indeks: KAB-06494
- Darmowa dostawa
Tranzystor N-MOSFET IRL540NPBF - THT - 5szt.
Vds: 100 V. Id: 36A. Rdson: 0,044 Ω. Obudowa: TO-220. Cena za 5 szt.
Indeks: UCC-00127
Indeks: UCC-00127
- Darmowa dostawa
N-MOSFET IRLZ44N 55V/47A - THT - 5szt.
Vds: 55 V. Id: 47 A. Rdson: 0,022 Ω. Obudowa: TO-220. Cena za 5 szt.
Indeks: UCC-01950
Indeks: UCC-01950
- Darmowa dostawa
Tranzystor N-MOSFET T2910 100V/21A - THT - TO220
Tranzystor typu N-MOSFET w obudowie TO220. Układ ma następujące parametry: VDSS 100 V, Id 21 A i rezystancji 24 mΩ . Element przeznaczony do montażu przewlekanego THT.
Indeks: TME-20609
Indeks: TME-20609
- Darmowa dostawa
Mini przełącznik Slide MOSFET LV 2-20V/6A - z ochroną przed prądem wstecznym - Pololu 2810
Moduł wykonawczy z tranzystorem typu MOSFET z parą kanałów P do kontrolowania urządzeń o wyższym poborze prądu niż dopuszczalny przez układ sterujący np. mikrokontroler. Moduł...
Indeks: PLL-04852
Indeks: PLL-04852
- Darmowa dostawa
Tranzystor N-MOSFET IRF740 400V/10A - THT
IRF740 to tranzystor typu N-MOSFET przeznaczony do pracy z napięciem do 400 V i natężeniem do 10 A . Charakteryzuje się niską rezystancją w stanie włączenia 0,55 Ω i...
Indeks: DNG-25089
Indeks: DNG-25089
- Nowość!
- Darmowa dostawa
Zestaw do testowania, tester elementów elektronicznych - M12864 KIT
Zestaw do testowania i rozpoznawania elementów elektronicznych takich, jak tranzystory bipolarne PNP, NPN, tranzystory MOSFET z kanałem P i N, tranzystory polowe JFET oraz...
Indeks: MOD-05056
Indeks: MOD-05056
- Darmowa dostawa
Tranzystor N-MOSFET 2N7000 - 10szt.
Tranzystor unipolarny N-MOSFET THT, 60 V, 0,2 A. Cena za 10 sztuk.
Indeks: UCC-08318
Indeks: UCC-08318
- Darmowa dostawa
Tranzystor N-MOSFET STP10NK60ZFP - THT - 5szt.
Tranzystor unipolarny typu N-MOSFET STP10NK60ZFP. Napięcie drenu wynosi 600 V, natomiast prąd drenu to 5,7 A. Zamknięty w obudowie TO220FP przeznaczonej do montażu...
Indeks: UCC-17314
Indeks: UCC-17314
- Darmowa dostawa
Tranzystor N-MOSFET IRFZ34N - THT - 5szt.
Tranzystor typu N-MOSFET w obudowie TO220. Układ ma następujące parametry: VDSS 55 V, Id 29 A i rezystancji 0,040 Ω . Element przeznaczony do montażu przewlekanego THT.
Indeks: AKS-18306
Indeks: AKS-18306
- Darmowa dostawa
Zestaw do testowania, tester elementów elektronicznych THT - BTE-056
Zestaw do testowania i rozpoznawania elementów elektronicznych takich, jak tranzystory bipolarne PNP, NPN, tranzystory MOSFET z kanałem P i N oraz diody. Wbudowany ekran...
Indeks: MOD-06282
Indeks: MOD-06282
- Darmowa dostawa
N-MOSFET IRF540N - THT - 5 szt.
Vds: 100 V. Id: 22 A. Moc: 85 W. Rds: 0,055 Ω. Obudowa TO-220. Cena za 5 szt.
Indeks: UCC-00731
Indeks: UCC-00731
- Darmowa dostawa
Zobacz również
Dlaczego MOSFET typu N?
MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) to jeden z najpopularniejszych typów tranzystorów wykorzystywanych w elektronice. Składa się z bramki, drenu, źródła, półprzewodnika oraz izolatora (lub przestrzeni na kanał N). Do drenu i źródła doprowadzone są kontakty - między nimi znajduje się powierzchnia półprzewodnika pokryta cienką powierzchnią izolatora. Tranzystory te działają, korzystając przede wszystkim z właściwości półprzewodników typu N i typu P. Powstają one wskutek zmieszania krzemu z pierwiastkiem mającym jeden więcej elektron walencyjny (donory) - powstaje półprzewodnik N, lub jeden elektron walencyjny mniej (akceptory) - powstaje półprzewodnik P. Po dodaniu do krzemu atomów pierwiastka posiadającego o jeden więcej elektron walencyjny niż w krzemie (donory) powstanie półprzewodnik typu N. Analogicznie sytuacja wygląda w momencie, kiedy do krzemu zostaną dodane atomy pierwiastka mającego jeden elektron walencyjny mniej (akceptory) - powstanie wówczas półprzewodnik typu P. N MOSFET to tranzystory z kanałem typu N - podłoże ma domieszkowane akceptory, natomiast dren oraz źródło mają domieszkowane donory.
Co oferujemy w tym dziale?
W naszej ofercie N MOSFET posiadamy szeroki wybór tranzystorów typu N, miniprzełączniki oraz zestawy do testowania elementów elektronicznych. Te urządzenia są bardzo uniwersalne - są w stanie rozpoznać szeroką gamę różnorodnych komponentów oraz podać ich właściwości. To bardzo pomocne narzędzie dla każdego elektronika. Jeżeli na przykład posiadasz elementy elektroniczne i nie wiesz, czym one są (na przykład dlatego, że farba się z nich zmyła i nie da się ich rozpoznać po kształcie), dzięki takiemu sprzętowi dowiesz się, co to jest i jakie ma właściwości. Jeżeli jest to opornik, otrzymasz informację o jego rezystancji, natomiast jeżeli jest to kondensator - dowiesz się, jaką ma pojemność. Urządzenia są przystosowane do rozpoznawania elementów wykonanych w technologii THT (do montażu przewlekanego) oraz SMD (do montażu powierzchniowego). Są w stanie rozpoznać tranzystory MOSFET (z kanałami typu P i N), tranzystory bipolarne (PNP i NPN) oraz takie elementy jak rezystory, kondensatory czy diody. Część urządzeń ma także funkcję niewielkiego generatora sygnału prostokątnego, generatora sygnału PWM oraz miernika częstotliwości.
Tranzystory
W tej kategorii głównymi produktami są oczywiście tranzystory. Posiadamy między innymi podwójne tranzystory SMD (zamknięte w obudowie SO-08) - maksymalny prąd drenu to 3,5 A, maksymalne napięcie nie może przekroczyć 20 V, rezystancja to około 0,1 Ω. Dostępne są także pojedyncze tranzystory SMD w paczkach po 5 sztuk - maksymalne napięcie dla nich to 30 V, prąd to 5 A, a opór to zaledwie 0,029 Ω. W paczkach po 5 sztuk oferujemy także modele zamknięte w obudowie SOT-223 (SMD) o maksymalnym prądzie drenu 2 A, maksymalnym napięciu 55 V, zamknięte w obudowach MICRO3 (SMD) o maksymalnym prądzie drenu 4,2 A, maksymalnym napięciu 20 V i rezystancji 0,045 Ω oraz zamknięte w SOT-23 (SMD) o maksymalnym prądzie drenu 1,2 A, maksymalnym napięciu 20 V i rezystancji 0,25 Ω. Posiadamy także tranzystory przeznaczone do montażu przewlekanego (THT) - w obudowie TO-220, o maksymalnym prądzie drenu 9,7 A, maksymalnym napięciu 100 V i rezystancji 0,2 Ω, w obudowie TO-220, o maksymalnym prądzie drenu 26 A, maksymalnym napięciu 50 V i rezystancji 0,55 Ω oraz po 10 sztuk w obudowach TO92 o maksymalnym prądzie drenu 0,2 A, maksymalnym napięciu 60 V i rezystancji 9 Ω, po 5 sztuk w obudowach TO-220, o maksymalnym prądzie drenu 41 A, maksymalnym napięciu 55 V i rezystancji 0,0175 Ω, po 5 sztuk w obudowach TO-220, o maksymalnym prądzie drenu 22 A, maksymalnym napięciu 100 V i rezystancji 0,055 Ω, po 5 sztuk o maksymalnym prądzie drenu 36 A, maksymalnym napięciu 100 V i rezystancji 0,044 Ω oraz po 5 sztuk o maksymalnym prądzie drenu 47 A, maksymalnym napięciu 55 V i rezystancji 0,022 Ω.