- Nowość!
Opis produktu: Tranzystor N-MOSFET IRF740 400 V / 10 A - THT
IRF740 to tranzystor typu N-MOSFET, który jest przeznaczony do pracy z wysokim napięciem i natężeniem. Ten komponent obsługuje napięcie dren-źródło o wartości do 400 V oraz prąd drenu sięgający 10 A. Jego napięcie progowe bramki wynosi 10 V, co oznacza, że do jego pełnego włączenia potrzeba takiej właśnie wartości napięcia między bramką a źródłem. Natomiast maksymalne napięcie różnicy potencjałów między bramką a źródłem wynosi ±20 V. Tranzystor cechuje się także stosunkowo niską rezystancją w stanie włączenia wynoszącą 0,55 Ω, co przekłada się na niskie straty mocy. Maksymalna moc strat tego elementu wynosi 125 W, dzięki czemu znajduje zastosowanie w układach o dużych mocach, takich jak przetwornice, inwertery czy zasilacze UPS. Może pracować w temperaturach do 150°C i jest dostępny w obudowie TO-220. Więcej informacji na temat tranzystora IRF740 znajdziesz na naszym blogu.
Sprawdź także inne rodzaje tranzystorów dostępnych w naszej ofercie.
Specyfikacja tranzystora IRF740
- Typ tranzystora: N-MOSFET
- Napięcie dren-źródło (Vds): 400 V
- Prąd drenu (Id): 10 A
- Napięcie progowe bramki (Vgs(th)): 10 V
- Maksymalne napięcie różnicy napięć bramki i źródła (Vgs): ±20 V
- Maksymalna moc strat: 125 W
- Maksymalna temperatura pracy: 150°C
- Rezystancja w stanie włączenia: 0,55 Ω
- Obudowa: TO-220
Przydatne linki |