Tranzystor N-MOSFET IRL540NPBF - THT - 5szt.

Indeks: UCC-00127 EAN: 5904422308087

Vds: 100 V. Id: 36A. Rdson: 0,044 Ω. Obudowa: TO-220. Cena za 5 szt.

Tranzystor N-MOSFET IRL540NPBF - THT - 5szt.
27,90 zł
22,68 zł netto
Zapłać później
Producent: OEM

Opis produktu: Tranzystor N-MOSFET IRL540NPBF - THT - 5 sztuk

Tranzystor typu N-MOSFET o parametrach Vds 100 V, Id 36 A i rezystancji0,044 Ω. Moduł w obudowie TO-220.

Elementy sprzedawane w pakiecie po 5 sztuk.

Specyfikacja tranzystora IRL540NPBF:

  • Maksymalny prąd drenu Id: 36 A
  • Maksymalne napięcie VDSS: 100 V
  • Rezystancja kanału Rdson: 0,044 Ω
  • Obudowa: TO-220

Szczegóły w dokumentacji.

Tranzystor N-MOSFET IRL540NPBF

  Tranzystor N-MOSFET IRL540NPBF - THT - 5 szt.

Tranzystor N-MOSFET IRL540NPBF - THT - 5szt. Sklep Botland

Tranzystor N-MOSFET IRL540NPBF – THT (sprzedawany w zestawie po 5 sztuk) należy do kategorii nowoczesnych tranzystorów polowych, umożliwiających sterowanie bramki niskonapięciowymi sygnałami na poziomie już 2 V – dzięki temu, do wysterowania MOSFETa wystarczy podać san wysoki z wyjścia mikrokontrolera, zasilanego napięciem 5 V (np. ATmega), a nawet 3.3 V (np. STM32 czy ESP32). Ta użyteczna cecha odróżnia IRL540NPBF od konwencjonalnych tranzystorów MOSFET o napięciu progowym otwarcia bramki na poziomie 4 V lub więcej.

Inną istotną zaletą tranzystorów IRL540NPBF jest bardzo niska rezystancja obwodu dren-źródło w stanie pełnego otwarcia – typowa wartość RDS(on) to zaledwie 44 mΩ, co pozwala zminimalizować straty przełączania i znacząco obniża efekt podgrzewania struktury tranzystora, nawet w przypadku pracy bez radiatora.

Inne parametry

Oferowany przez nas tranzystor N MOSFET może pracować z maksymalnym prądem drenu na poziomie nawet 36 A, zaś maksymalna moc strat (oczywiście w warunkach odpowiednio efektywnego chłodzenia) może dochodzić aż do 140 W. Specjalna technologia półprzewodnika, zastosowana do produkcji tranzystorów z serii IRL540NPBF, pozwala na pracę w wyjątkowo szerokim zakresie temperatur – od -40 oC aż do +175 oC, co jest doskonałym wynikiem zważywszy na fakt, iż większość elementów półprzewodnikowych jest w stanie wytrzymać temperatury nie przekraczające 150 oC.

Podczas projektowania układu z wykorzystaniem IRL540NPBF należy pamiętać, że rezystancja termiczna od struktury do obudowy wynosi 1.1 oC/W, zaś od struktury do otoczenia (bez radiatora) – 62 oC/W.

Szerokość opakowania 5 cm
Wysokość opakowania 0.5 cm
Głębokość opakowania 8 cm
Masa opakowania 0.002 kg

Jako pierwszy zadaj pytanie dotyczące tego produktu!

Opinie o produkcie

Tranzystor N-MOSFET IRL540NPBF - THT - 5szt.

5/5

Średnia Ocena

11

Opinie Klientów
Poniższe opinie zbieramy
i weryfikujemy przy pomocy
zewnętrznego partnera Trustmate
i pochodzą z procesu pozakupowego.

Zdjęcia użytkowników

Klienci którzy zakupili ten produkt kupili również:

Produkty z tej samej kategorii: