Opis produktu: Tranzystor N-MOSFET STP10NK60ZFP - THT - 5 szt.
Tranzystor unipolarny typu N-MOSFET STP10NK60ZFP. Napięcie drenu wynosi 600 V, natomiast prąd drenu to 5,7 A. Maksymalna moc rozpraszania wynosi 35 W. Zamknięty został w obudowie TO220FP montowanej w sposób przewlekany THT.
Gdzie i jak montować tranzystor N-MOSFET?
Tranzystor może być montowany w różnych miejscach i sytuacjach w zależności od jego przeznaczenia. Wystarczy odpowiednie podłączenie kabli do trzech nóżek - kolektor (C), bramka (G) i emiter (E) tak, aby tranzystor był połączony z resztą układu. Zasadnicza zaleta tego typu tranzystorów to brak poboru prądu przez bramkę oraz niska rezystancja otwartego kanału, co przekłada się na znacznie mniejsze straty.
- Płytki drukowane: Tranzystory N-MOSFET w obudowie przewlekanej są często montowane na płytkach drukowanych w elektronicznych układach scalonych.
- Obwody drukowane: Tranzystory N-MOSFET sprawdza się w obwodach drukowanych w różnych urządzeniach elektronicznych takich jak komputery, drukarki lub odtwarzacze DVD.
- Moduły elektroniczne: Tranzystor N-MOSFET THT może być również montowane w specjalnych modułach elektronicznych, takich jak moduły sterujące silnikami lub moduły zasilające.
Specyfikacja tranzystora STP10NK60ZFP
- Typ: N-MOSFET
- Polaryzacja: unipolarny
- Napięcie drenu - źródła: 600 V
- Prąd drenu: 5,7 A
- Moc rozpraszania: 35 W
- Napięcie bramka - źródło: ± 30 V
- Rezystancja w stanie przewodzenia: 750 mΩ
- Obudowa: TO220FP
- Montaż: THT
Tranzystor N-MOSFET STP10NK60ZFP.
|
Elementy sprzedawane w pakiecie po 5 sztuk. |
Przydatne linki |
