• EOL
Półprzewodniki. Nowoczesne rozwiązania w układach scalonych - Chenming Calvin Hu

Półprzewodniki. Nowoczesne rozwiązania w układach scalonych - Chenming Calvin Hu

Indeks: KSZ-06323 EAN: 9788328320901
Zadaj pytanie

Tłumaczenie: Konrad Matuk. Wydawnictwo: Helion. Książka zawiera przydatną wiedzę dotycząca tranzystorów oraz projektowania układów z wykorzystaniem tych rewolucyjnych elementów elektronicznych.

Półprzewodniki. Nowoczesne rozwiązania w układach scalonych - Chenming Calvin Hu
39,90 zł
38,00 zł netto
Zapłać później
Powiadom o dostępności
SPRAWDŹ ILOŚĆ
Niedostępny
Produkt wycofany
Darmowa dostawa
30 dni na zwrot
SPRAWDŹ ILOŚĆ
Producent: Helion

Uwaga!

Sprzedaż produktu została zakończona. Sprawdź inne w tej kategorii.

Opis

Książka zawiera przydatną wiedzę dotycząca tranzystorów oraz projektowania układów z wykorzystaniem tych rewolucyjnych elementów elektronicznych. Książka skierowana jest przede wszystkim do studentów kierunków technicznych, jednakże chętnie korzystają z niej również doktoranci, inżynierowie i naukowcy.

 

Autor przedstawia  dogłębną analizę zagadnień związanych z podstawowymi komponentami układów elektronicznych. Przybliża zasady działania takich urządzeń, jak ogniwa fotowoltaiczne, diody LED, diody laserowe itp. Książka pozwala na zrozumienie zasad i prawideł oraz opanowanie wiedzy praktycznej w zakresie elektroniki, która jest podstawą również innych dziedzinach technicznych, np. informatyki.

 

Książka zawiera:

  • wprowadzenie do zagadnień związanych z półprzewodnikami z uwzględnieniem rekombinacji elektronów i dziur elektronowych
  • opis technologi produkcji komponentów półprzewodnikowych;
  • zasadę działania złącza p-n i złącza metal-półprzewodnik;
  • informacje o tranzystorach MOS i matrycach CCD i CMOS;
  • wiedzę na temat tranzystorów MOFSET, pamięci SRAM i DRAM oraz pamięci Flash;
  • opis tranzystorów bipolarnych

 

Fragment książki do przeczytania on-line.
 

Spis treści

 

Przedmowa (11)
O autorze (13)

1. Półprzewodniki: elektrony i dziury w półprzewodnikach (15)

  • 1.1. Krystaliczna struktura krzemu (16)
  • 1.2. Model wiązań elektronów i dziur (18)
  • 1.3. Energetyczny model pasmowy (22)
  • 1.4. Półprzewodniki, izolatory i przewodniki (27)
  • 1.5. Elektrony i dziury (29)
  • 1.6. Gęstość stanów (32)
  • 1.7. Równowaga cieplna i funkcja Fermiego (33)
  • 1.8. Koncentracje elektronów i dziur (37)
  • 1.9. Ogólne zagadnienia dotyczące parametrów n i p (43)
  • 1.10. Koncentracje nośników w bardzo niskich i bardzo wysokich temperaturach (47)
  • 1.11. Podsumowanie rozdziału (47)
  • Zadania (49)
  • Bibliografia (54)
  • Publikacje ogólnie związane z tematyką rozdziału (55)

2. Ruch i rekombinacja elektronów i dziur (57)

  • 2.1. Ruch cieplny (57)
  • 2.2. Dryft (60)
  • 2.3. Prąd dyfuzyjny (69)
  • 2.4. Zależność pomiędzy wykresem poziomów energetycznych a napięciem i polem
  • elektrycznym (71)
  • 2.5. Zależność Einsteina pomiędzy D i ( (71)
  • 2.6. Rekombinacja elektron­dziura (74)
  • 2.7. Generacja termiczna (77)
  • 2.8. Quasi­równowaga i poziomy quasi­Fermiego (77)
  • 2.9. Podsumowanie rozdziału (79)
  • Zadania (81)
  • Bibliografia (84)
  • Publikacje ogólnie związane z tematyką rozdziału (84)

 

3. Technologia produkcji komponentów półprzewodnikowych (85)

  • 3.1. Wstęp do produkcji komponentów (86)
  • 3.2. Utlenianie krzemu (88)
  • 3.3. Litografia (89)3.4. Transfer wzorów ­ trawienie (96)
  • 3.5. Domieszkowanie półprzewodnika (99)
  • 3.6. Dyfuzja domieszek (101)
  • 3.7. Osadzanie cienkich warstw (105)
  • 3.8. Proces tworzenia złączy pomiędzy komponentami (110)
  • 3.9. Testowanie, montaż i kwalifikacja (113)
  • 3.10. Podsumowanie rozdziału ­ przykładowy proces produkcji komponentu (114)
  • Zadania (116)
  • Bibliografia (120)
  • Publikacje ogólnie związane z tematyką rozdziału (121)

 

4. Złącze p­n i złącze metal­półprzewodnik (123)

  • Część I. Złącze p­n (123)
    • 4.1. Zagadnienia teoretyczne związane ze złączem p­n (124)
    • 4.2. Model warstwy zubożonej (128)
    • 4.3. Złącze p­n i polaryzacja zaporowa (133)
    • 4.4. Charakterystyki pojemnościowo­napięciowe (134)
    • 4.5. Przebicie złącza p­n (136)
    • 4.6. Iniekcja nośników w polaryzacji przewodzenia i warunkach quasi­równowagi
    • brzegowej (141)
    • 4.7. Równanie ciągłości prądu (144)
    • 4.8. Nośniki nadmiarowe w złączu p­n w polaryzacji przewodzenia (146)
    • 4.9. Charakterystyki prądowo­napięciowe diody półprzewodnikowej (150)
    • 4.10. Magazynowanie ładunku (154)
    • 4.11. Małosygnałowy model diody (155)
  • Część II. Zastosowanie w komponentach optoelektronicznych (156)
    • 4.12. Ogniwa fotowoltaiczne (156)
    • 4.13. Diody elektroluminescencyjne i oświetlenie półprzewodnikowe (164)
    • 4.14. Diody laserowe (170)
    • 4.15. Fotodiody (175)
  • Część III. Złącze metal­półprzewodnik (176)
    • 4.16. Bariera Schottky'ego (176)
    • 4.17. Teoria emisji termoelektronowej (181)
    • 4.18. Diody Schottky'ego (182)
    • 4.19. Zastosowanie diod Schottky'ego (184)
    • 4.20. Tunelowanie kwantowo­mechaniczne (186)
    • 4.21. Kontakt omowy (186)
    • 4.22. Podsumowanie rozdziału (190)
    • Zadania (194)
    • Bibliografia (204)
    • Publikacje ogólnie związane z tematyką rozdziału (205)


5. Kondensator MOS (207)

  • 5.1. Warunek i napięcie pasma płaskiego (208)
  • 5.2. Akumulacja powierzchniowa (210)
  • 5.3. Zubożenie powierzchni (212)
  • 5.4. Warunek progowy i napięcie progowe (213)
  • 5.5. Silna inwersja poza warunkami progowymi (216)
  • 5.6. Charakterystyki pojemnościowo­napięciowe kondensatora MOS (220)
  • 5.7. Ładunek tlenku ­ wpływ na Ufb i Ut (225)
  • 5.8. Zubożenie bramki wykonanej z krzemu polikrystalicznego spowodowane wzrostem T228
  • 5.9. Grubość i efekt kwantowo­mechaniczny warstw inwersji i akumulacji (230)
  • 5.10. Matryca CCD i CMOS (233)
  • 5.11. Podsumowanie rozdziału (240)
  • Zadania (243)
  • Bibliografia (252)
  • Publikacje ogólnie związane z tematyką rozdziału (252)

 


6. Tranzystor MOS (253)

  • 6.1. Tranzystory MOSFET ­ wprowadzenie (253)
  • 6.2. Struktura komplementarna MOS (technologia CMOS) (254)
  • 6.3. Ruchliwości powierzchniowe i układy FET charakteryzujące się dużą mobilnością (260)
  • 6.4. Napięcie Ut, efekt podłoża i domieszkowanie tranzystora MOSFET (267)
  • 6.5. Parametr Qinw charakteryzujący tranzystory MOSFET (271)
  • 6.6. Podstawowy model prądowo­napięciowy tranzystora MOSFET (272)
  • 6.7. Przykładowy układ: inwerter CMOS (276)
  • 6.8. Nasycenie prędkości (282)
  • 6.9. Model prądowo­napięciowy tranzystora MOSFET uwzględniający nasycenie prędkości (284)
  • 6.10. Pasożytnicza rezystancja źródło­dren (289)
  • 6.11. Wyciąganie rezystancji szeregowej i efektywnej długości kanału (290)
  • 6.12. Przerost prędkości i limit prędkości źródła (293)
  • 6.13. Konduktancja wyjściowa (295)
  • 6.14. Wydajność przy wysokich częstotliwościach (296)
  • 6.15. Zakłócenia tranzystorów MOSFET (299)
  • 6.16. SRAM, DRAM i kości pamięci nieulotnej flash (305)
  • 6.17. Podsumowanie rozdziału (314)
  • Zadania (318)
  • Bibliografia (330)
  • Publikacje ogólnie związane z tematyką rozdziału (331)


7. Tranzystory MOSFET w układach scalonych ­ zmiana skali, prąd upływu i inne zagadnienia (333)

  • 7.1. Zmiana skali technologii ­ zmniejszenie kosztów produkcji, wzrost szybkości, zmniejszenie poboru prądu (334)
  • 7.2. Prąd podprogowy ­ "wyłączony" nie oznacza "zupełnie wyłączony" (338)
  • 7.3. Spadek wzmocnienia napięcia Ut ­ tranzystory MOSFET o krótkich kanałach charakteryzują się większym prądem upływu (342)
  • 7.4. Redukcja grubości elektrycznej izolacji bramki i upływ tunelowy (347)
  • 7.5. Redukcja parametru Wzub (349)
  • 7.6. Płytkie złącze i tranzystory MOSFET z metalowymi źródłami i drenami (352)
  • 7.7. Kompromis pomiędzy Iwł i Iwył a opracowywanie projektu pod kątem możliwości produkcji (354)
  • 7.8. Tranzystory MOSFET o bardzo cienkich korpusach i wielu bramkach (357)
  • 7.9. Konduktancja wyjściowa (362)
  • 7.10. Symulacja procesów i komponentów (364)
  • 7.11. Kompaktowy model tranzystora MOSFET używany w symulacji pracy obwodu (365)
  • 7.12. Podsumowanie rozdziału (366)
  • Zadania (368)
  • Bibliografia (371)
  • Publikacje ogólnie związane z tematyką rozdziału (372)

 


8. Tranzystor bipolarny (373)

  • 8.1. Wprowadzenie do tranzystorów BJT (374)
  • 8.2. Prąd kolektora (376)
  • 8.3. Prąd bazy (380)
  • 8.4. Wzmocnienie prądowe (381)
  • 8.5. Modulacja szerokości bazy napięciem kolektora (386)
  • 8.6. Model Ebersa­Molla (389)
  • 8.7. Czas opadania i magazynowanie ładunku (392)
  • 8.8. Model małosygnałowy (396)
  • 8.9. Częstotliwość graniczna (399)
  • 8.10. Model sterowany prądem (400)
  • 8.11. Model do wielkosygnałowej symulacji pracy obwodu (404)
  • 8.12. Podsumowanie rozdziału (406)
  • Zadania (408)
  • Bibliografia (414)
  • Publikacje ogólnie związane z tematyką rozdziału (414)

 


Dodatek A

  • Wyprowadzenie wzorów na gęstość stanów (415)

 

Dodatek B

  • Wyprowadzenie funkcji rozkładu Fermiego­Diraca (419)

 

Dodatek C

  • Samouzgodnienie założeń dotyczących nośników mniejszościowych (423)
  • Odpowiedzi do wybranych zadań (427)

 

Skorowidz (433)
Książka - Autor Chenming Calvin Hu
Książka - ISBN 978-83-283-2090-1
Książka - Oprawa miękka
Książka - Wydawnictwo Helion
Szerokość opakowania 0.001 cm
Wysokość opakowania 0.001 cm
Głębokość opakowania 0.001 cm
Masa opakowania 0.001 kg
Wyślij pytanie

Jako pierwszy zadaj pytanie dotyczące tego produktu!

Zasady składania reklamacji towaru

Zgodnie z obowiązującymi przepisami, ponosimy odpowiedzialność na zasadach określonych w Kodeksie Cywilnym za wady fizyczne i prawne.

Po wykryciu wady Kupujący ma prawo:

  • złożyć oświadczenie o żądaniu obniżenia ceny,
  • złożyć oświadczenie o odstąpieniu od umowy, ale nie wtedy kiedy wada jest nieistotna,
  • żądać wymiany rzeczy na wolną od wad,
  • żądać usunięcia wady.

Informujemy, że Dział Reklamacji firmy Botland rozpatruje zgłoszenia w ciągu 14 dni kalendarzowych od daty ich wpłynięcia. Botland odpowiada z tytułu rękojmi jeśli wada fizyczna zostanie stwierdzona przed upływem dwóch lat od momentu wydania rzeczy.

Informacje dotyczące korzystania z prawa odstąpienia od umowy

Zgodnie z aktualnymi przepisami prawnymi Konsument ma prawo odstąpić od umowy kupna-sprzedaży w terminie 30 dni bez podania przyczyny. Termin ten wygasa po upływie 30 dni od momentu, w którym Konsument wszedł w posiadanie rzeczy lub w którym osoba trzecia inna niż przewoźnik i wskazana przez Konsumenta weszła w posiadanie rzeczy.

Informujemy, że zgodnie z obowiązującymi przepisami oraz §4 Regulaminu zwrot towaru przysługuje wyłącznie Konsumentom (zakup niezwiązany bezpośrednio działalnością gospodarczą lub zawodową). Zwroty nie przysługują Klientom (zakup związany bezpośrednio działalnością gospodarczą lub zawodową).

Przebieg reklamacji / zwrotu

W celu zgłoszenia reklamacji prosimy postępować zgodnie z instrukcją:

1 Zapoznaj się z zasadami reklamacji / zwrotu.
2 Wypełnij formularz, który znajduje się poniżej.
3 Zapoznaj się z treścią otrzymanej odpowiedzi.
4 Zabezpiecz i zapakuj niesprawny produkt.
5

Wyślij przesyłkę na podany niżej adres wraz z wydrukowanym formularzem oraz dowodem zakupu.

Formularz reklamacyjny

W celu rozpoczęcia procedury reklamacyjnej / zwrotu, wypełnij formularz.

Adres do wysyłki:

BOTLAND - SERWIS
Gola 25A
63-640 Bralin

Zasady reklamacji

W celu sprawnego przeprowadzenia procesu reklamacji, prosimy o zapoznanie się z opisanymi poniżej zasadami:

  1. Przed odesłaniem sprzętu prosimy o upewnienie się, iż produkt faktycznie jest niesprawny.
  2. W celu sprawnego przebiegu reklamacji prosimy o wypełnienie formularza reklamacyjnego oraz dołączenie go do przesyłki.
  3. Do reklamowanych produktów prosimy dołączyć dowód zakupu (np. paragon, fakturę lub potwierdzenie wykonania przelewu).
  4. Towar należy starannie zapakować, aby zapewnić bezpieczny transport i zapobiec kolejnym uszkodzeniom.
  5. Firma Botland nie odbiera paczek reklamacyjnych wysłanych za pobraniem.
  6. Zwrot kosztów przesyłki następuje po uznaniu reklamacji. Jest to kwota zgodna z najtańszą oferowaną formą dostawy.
  7. Sprzęt prosimy odsyłać kompletny razem z akcesoriami. Produkty niekompletne zostaną odesłane bez rozpatrzenia na koszt nadawcy.
  8. Samodzielna naprawa, przeprowadzona przez osoby nieuprawnione, tj. niebędąca naprawą przez firmę Botland, pozbawia Kupującego prawa do dalszego reklamowania.
  9. O sposobie rozpatrzenia reklamacji Kupujący zostanie poinformowany drogą elektroniczną (poprzez wiadomość e-mail).
  10. Szczegółowe informacje dotyczące aktualnych kosztów wysyłki znajdują się na stronie: www.botland.com.pl w zakładce Dostawa.
  11. Odesłanie sprzętu jest równoznaczne z zapoznaniem się z powyższymi zasadami.

Zasady zwrotu towaru

  1. W celu skorzystania z prawa odstąpienia od umowy, Konsument zobowiązany jest poinformować Sprzedającego o swojej decyzji poprzez jednoznaczne oświadczenie.
  2. W celu sprawnego przebiegu procesu zwrotu prosimy o wypełnienie formularza zwrotu oraz dołączenie go do przesyłki, można wykorzystać inne oświadczenie niż zamieszczony formularz.
  3. W przypadku odstąpienia od umowy zwracamy wszystkie otrzymane płatności, w tym koszty dostarczenia rzeczy do Konsumenta (z wyjątkiem dodatkowych kosztów wynikających z wybranego przez Konsumenta sposobu dostarczenia innego niż najtańszy przez nas oferowany). Konsument ponosi koszty przesyłki zwrotnej. Zwrot środków nastąpi w ciągu 14 dni od dnia, w którym zostaliśmy poinformowani o decyzji odstąpienia od umowy. Zwrotu dokonamy przy użyciu takich samych sposobów płatności, jakie zostały użyte w pierwotnej transakcji, chyba że Konsument wyraził zgodę na inne rozwiązanie lub je zaproponował.
  4. Możemy wstrzymać się ze zwrotem płatności do czasu otrzymania rzeczy lub dostarczenia nam dowodu jej odesłania, w zależności od tego, które zdarzenie nastąpi wcześniej.
  5. Prosimy o odesłanie lub przekazanie nam rzeczy niezwłocznie, a w każdym razie nie później niż 14 dni od dnia, w którym zostaliśmy poinformowani o odstąpieniu od umowy. Prosimy również o staranne zapakowanie towaru przed wysyłką.
  6. Konsument odpowiada tylko za zmniejszenie wartości produktu wynikającej z korzystania w sposób inny niż było to konieczne do stwierdzenia cech i funkcjonalności.

Klienci którzy zakupili ten produkt kupili również:

Produkty z tej samej kategorii: