Półprzewodniki. Nowoczesne rozwiązania w układach scalonych - Chenming Calvin Hu

Półprzewodniki. Nowoczesne rozwiązania w układach scalonych - Chenming Calvin Hu

Indeks: KSZ-06323 EAN: 9788328320901
BOTLAND B. DERKACZ SPÓŁKA JAWNA Opinie z ekomi-pl.com

Tłumaczenie: Konrad Matuk. Wydawnictwo: Helion. Książka zawiera przydatną wiedzę dotycząca tranzystorów oraz projektowania układów z wykorzystaniem tych rewolucyjnych elementów elektronicznych.

39,90 zł
38,00 zł netto

Niedostępny
Produkt wycofany
30 dni na zwrot

Uwaga!

Sprzedaż produktu została zakończona. Sprawdź inne w tej kategorii.

Opis

Książka zawiera przydatną wiedzę dotycząca tranzystorów oraz projektowania układów z wykorzystaniem tych rewolucyjnych elementów elektronicznych. Książka skierowana jest przede wszystkim do studentów kierunków technicznych, jednakże chętnie korzystają z niej również doktoranci, inżynierowie i naukowcy.

 

Autor przedstawia  dogłębną analizę zagadnień związanych z podstawowymi komponentami układów elektronicznych. Przybliża zasady działania takich urządzeń, jak ogniwa fotowoltaiczne, diody LED, diody laserowe itp. Książka pozwala na zrozumienie zasad i prawideł oraz opanowanie wiedzy praktycznej w zakresie elektroniki, która jest podstawą również innych dziedzinach technicznych, np. informatyki.

 

Książka zawiera:

  • wprowadzenie do zagadnień związanych z półprzewodnikami z uwzględnieniem rekombinacji elektronów i dziur elektronowych
  • opis technologi produkcji komponentów półprzewodnikowych;
  • zasadę działania złącza p-n i złącza metal-półprzewodnik;
  • informacje o tranzystorach MOS i matrycach CCD i CMOS;
  • wiedzę na temat tranzystorów MOFSET, pamięci SRAM i DRAM oraz pamięci Flash;
  • opis tranzystorów bipolarnych

 

Fragment książki do przeczytania on-line.

 

Spis treści

 

Przedmowa (11)
O autorze (13)

1. Półprzewodniki: elektrony i dziury w półprzewodnikach (15)

  • 1.1. Krystaliczna struktura krzemu (16)
  • 1.2. Model wiązań elektronów i dziur (18)
  • 1.3. Energetyczny model pasmowy (22)
  • 1.4. Półprzewodniki, izolatory i przewodniki (27)
  • 1.5. Elektrony i dziury (29)
  • 1.6. Gęstość stanów (32)
  • 1.7. Równowaga cieplna i funkcja Fermiego (33)
  • 1.8. Koncentracje elektronów i dziur (37)
  • 1.9. Ogólne zagadnienia dotyczące parametrów n i p (43)
  • 1.10. Koncentracje nośników w bardzo niskich i bardzo wysokich temperaturach (47)
  • 1.11. Podsumowanie rozdziału (47)
  • Zadania (49)
  • Bibliografia (54)
  • Publikacje ogólnie związane z tematyką rozdziału (55)

2. Ruch i rekombinacja elektronów i dziur (57)

  • 2.1. Ruch cieplny (57)
  • 2.2. Dryft (60)
  • 2.3. Prąd dyfuzyjny (69)
  • 2.4. Zależność pomiędzy wykresem poziomów energetycznych a napięciem i polem
  • elektrycznym (71)
  • 2.5. Zależność Einsteina pomiędzy D i ( (71)
  • 2.6. Rekombinacja elektron­dziura (74)
  • 2.7. Generacja termiczna (77)
  • 2.8. Quasi­równowaga i poziomy quasi­Fermiego (77)
  • 2.9. Podsumowanie rozdziału (79)
  • Zadania (81)
  • Bibliografia (84)
  • Publikacje ogólnie związane z tematyką rozdziału (84)

 

3. Technologia produkcji komponentów półprzewodnikowych (85)

  • 3.1. Wstęp do produkcji komponentów (86)
  • 3.2. Utlenianie krzemu (88)
  • 3.3. Litografia (89)3.4. Transfer wzorów ­ trawienie (96)
  • 3.5. Domieszkowanie półprzewodnika (99)
  • 3.6. Dyfuzja domieszek (101)
  • 3.7. Osadzanie cienkich warstw (105)
  • 3.8. Proces tworzenia złączy pomiędzy komponentami (110)
  • 3.9. Testowanie, montaż i kwalifikacja (113)
  • 3.10. Podsumowanie rozdziału ­ przykładowy proces produkcji komponentu (114)
  • Zadania (116)
  • Bibliografia (120)
  • Publikacje ogólnie związane z tematyką rozdziału (121)

 

4. Złącze p­n i złącze metal­półprzewodnik (123)

  • Część I. Złącze p­n (123)
    • 4.1. Zagadnienia teoretyczne związane ze złączem p­n (124)
    • 4.2. Model warstwy zubożonej (128)
    • 4.3. Złącze p­n i polaryzacja zaporowa (133)
    • 4.4. Charakterystyki pojemnościowo­napięciowe (134)
    • 4.5. Przebicie złącza p­n (136)
    • 4.6. Iniekcja nośników w polaryzacji przewodzenia i warunkach quasi­równowagi
    • brzegowej (141)
    • 4.7. Równanie ciągłości prądu (144)
    • 4.8. Nośniki nadmiarowe w złączu p­n w polaryzacji przewodzenia (146)
    • 4.9. Charakterystyki prądowo­napięciowe diody półprzewodnikowej (150)
    • 4.10. Magazynowanie ładunku (154)
    • 4.11. Małosygnałowy model diody (155)
  • Część II. Zastosowanie w komponentach optoelektronicznych (156)
    • 4.12. Ogniwa fotowoltaiczne (156)
    • 4.13. Diody elektroluminescencyjne i oświetlenie półprzewodnikowe (164)
    • 4.14. Diody laserowe (170)
    • 4.15. Fotodiody (175)
  • Część III. Złącze metal­półprzewodnik (176)
    • 4.16. Bariera Schottky'ego (176)
    • 4.17. Teoria emisji termoelektronowej (181)
    • 4.18. Diody Schottky'ego (182)
    • 4.19. Zastosowanie diod Schottky'ego (184)
    • 4.20. Tunelowanie kwantowo­mechaniczne (186)
    • 4.21. Kontakt omowy (186)
    • 4.22. Podsumowanie rozdziału (190)
    • Zadania (194)
    • Bibliografia (204)
    • Publikacje ogólnie związane z tematyką rozdziału (205)


5. Kondensator MOS (207)

  • 5.1. Warunek i napięcie pasma płaskiego (208)
  • 5.2. Akumulacja powierzchniowa (210)
  • 5.3. Zubożenie powierzchni (212)
  • 5.4. Warunek progowy i napięcie progowe (213)
  • 5.5. Silna inwersja poza warunkami progowymi (216)
  • 5.6. Charakterystyki pojemnościowo­napięciowe kondensatora MOS (220)
  • 5.7. Ładunek tlenku ­ wpływ na Ufb i Ut (225)
  • 5.8. Zubożenie bramki wykonanej z krzemu polikrystalicznego spowodowane wzrostem T228
  • 5.9. Grubość i efekt kwantowo­mechaniczny warstw inwersji i akumulacji (230)
  • 5.10. Matryca CCD i CMOS (233)
  • 5.11. Podsumowanie rozdziału (240)
  • Zadania (243)
  • Bibliografia (252)
  • Publikacje ogólnie związane z tematyką rozdziału (252)

 


6. Tranzystor MOS (253)

  • 6.1. Tranzystory MOSFET ­ wprowadzenie (253)
  • 6.2. Struktura komplementarna MOS (technologia CMOS) (254)
  • 6.3. Ruchliwości powierzchniowe i układy FET charakteryzujące się dużą mobilnością (260)
  • 6.4. Napięcie Ut, efekt podłoża i domieszkowanie tranzystora MOSFET (267)
  • 6.5. Parametr Qinw charakteryzujący tranzystory MOSFET (271)
  • 6.6. Podstawowy model prądowo­napięciowy tranzystora MOSFET (272)
  • 6.7. Przykładowy układ: inwerter CMOS (276)
  • 6.8. Nasycenie prędkości (282)
  • 6.9. Model prądowo­napięciowy tranzystora MOSFET uwzględniający nasycenie prędkości (284)
  • 6.10. Pasożytnicza rezystancja źródło­dren (289)
  • 6.11. Wyciąganie rezystancji szeregowej i efektywnej długości kanału (290)
  • 6.12. Przerost prędkości i limit prędkości źródła (293)
  • 6.13. Konduktancja wyjściowa (295)
  • 6.14. Wydajność przy wysokich częstotliwościach (296)
  • 6.15. Zakłócenia tranzystorów MOSFET (299)
  • 6.16. SRAM, DRAM i kości pamięci nieulotnej flash (305)
  • 6.17. Podsumowanie rozdziału (314)
  • Zadania (318)
  • Bibliografia (330)
  • Publikacje ogólnie związane z tematyką rozdziału (331)


7. Tranzystory MOSFET w układach scalonych ­ zmiana skali, prąd upływu i inne zagadnienia (333)

  • 7.1. Zmiana skali technologii ­ zmniejszenie kosztów produkcji, wzrost szybkości, zmniejszenie poboru prądu (334)
  • 7.2. Prąd podprogowy ­ "wyłączony" nie oznacza "zupełnie wyłączony" (338)
  • 7.3. Spadek wzmocnienia napięcia Ut ­ tranzystory MOSFET o krótkich kanałach charakteryzują się większym prądem upływu (342)
  • 7.4. Redukcja grubości elektrycznej izolacji bramki i upływ tunelowy (347)
  • 7.5. Redukcja parametru Wzub (349)
  • 7.6. Płytkie złącze i tranzystory MOSFET z metalowymi źródłami i drenami (352)
  • 7.7. Kompromis pomiędzy Iwł i Iwył a opracowywanie projektu pod kątem możliwości produkcji (354)
  • 7.8. Tranzystory MOSFET o bardzo cienkich korpusach i wielu bramkach (357)
  • 7.9. Konduktancja wyjściowa (362)
  • 7.10. Symulacja procesów i komponentów (364)
  • 7.11. Kompaktowy model tranzystora MOSFET używany w symulacji pracy obwodu (365)
  • 7.12. Podsumowanie rozdziału (366)
  • Zadania (368)
  • Bibliografia (371)
  • Publikacje ogólnie związane z tematyką rozdziału (372)

 


8. Tranzystor bipolarny (373)

  • 8.1. Wprowadzenie do tranzystorów BJT (374)
  • 8.2. Prąd kolektora (376)
  • 8.3. Prąd bazy (380)
  • 8.4. Wzmocnienie prądowe (381)
  • 8.5. Modulacja szerokości bazy napięciem kolektora (386)
  • 8.6. Model Ebersa­Molla (389)
  • 8.7. Czas opadania i magazynowanie ładunku (392)
  • 8.8. Model małosygnałowy (396)
  • 8.9. Częstotliwość graniczna (399)
  • 8.10. Model sterowany prądem (400)
  • 8.11. Model do wielkosygnałowej symulacji pracy obwodu (404)
  • 8.12. Podsumowanie rozdziału (406)
  • Zadania (408)
  • Bibliografia (414)
  • Publikacje ogólnie związane z tematyką rozdziału (414)

 


Dodatek A

  • Wyprowadzenie wzorów na gęstość stanów (415)

 

Dodatek B

  • Wyprowadzenie funkcji rozkładu Fermiego­Diraca (419)

 

Dodatek C

  • Samouzgodnienie założeń dotyczących nośników mniejszościowych (423)
  • Odpowiedzi do wybranych zadań (427)

 

Skorowidz (433)

Książka - Autor Chenming Calvin Hu
Książka - ISBN 978-83-283-2090-1
Książka - Oprawa miękka
Książka - Wydawnictwo Helion

Wysyłka w dniu zamówienia

Zaksięgowanie wpłaty za zamówienie na naszym koncie w dzień roboczy do godziny 12:00 oznacza wysyłkę towaru jeszcze tego samego dnia! 

Czas realizacji płatności uzależniony jest od godzin sesji ELIXIR banków nadawcy i odbiorcy przelewu (więcej informacji na ten temat np. na stronie https://www.kiedy-przelew.pl/).

Darmowa wysyłka w Polsce już od 300 zł

Jeśli kwota do zapłaty za produkty przekroczy 300 zł dostawa gratis! Dotyczy zamówień opłaconych przed wysyłką. Zamówienia pobraniowe wysyłamy gratis od 500 zł.

Wysyłka na terenie Polski

Card image cap
Poczta Polska
  • Termin dostawy: 1-3 dni
  • Płatność z góry: od 9,90 zł
  • Płatność przy odbiorze: 17,90 zł
  • Ubezpieczenie: 1000 zł
Card image cap
Kurier GLS
  • Termin dostawy: 24h
  • Płatność z góry: od 14,90 zł
  • Płatność przy odbiorze: 22,90 zł
  • Ubezpieczenie: 6000 zł
Card image cap
Inpost Paczkomaty 24/7
  • Termin dostawy: 1-3 dni
  • Płatność z góry: od 12,90 zł
  • Ponad 11 000 Paczkomatów
  • Ubezpieczenie: 200 zł
Card image cap
Inpost Kurier
  • Termin dostawy: 24h
  • Płatność z góry: od 16,90 zł
  • Ubezpieczenie: do 100 000 zł
  • Dostawa pod wskazany adres

Wysyłka za granicę

Kurier GLS - strefa 1

Austria, Belgia, Chrowacja, Czechy, Dania, Niemcy, Holandia, Słowacja

  • Termin dostawy: 2-4 dni
  • Płatność z góry: 35 zł
Kurier GLS - strefa 2

Bułgaria, Estonia, Francja, Litwa, Luksemburg,  Łotwa, Portugalia, Rumunia, San Marino, Słowenia, Węgry, Włochy

  • Termin dostawy: 2-5 dni
  • Płatność z góry: 50 zł
Kurier GLS - strefa 3

Finlandia, Grecja, Hiszpania, Irlandia, Liechtenstein, Szwecja

  • Termin dostawy: 2-7 dni
  • Płatność z góry: 80 zł

Formy płatności

Card image cap
PayU
  • Płatność natychmiastowa. Twoja wpłata trafi na nasze kontro w ciągu kilku minut.

    W tym:
Card image cap
Przelewy24
  • Szybki przelew internetowy. Twoją wpłatę otrzymamy w ciągu kilku minut.

    W tym:
Card image cap
Przelew tradycyjny
  • Po złożeniu zamówienia otrzymasz od nas numer konta bankowego do dokonania przelewu.

    W zależności od banku Twoja wpłata dotrze do nas w ciągu 1-2 dni roboczych.
Card image cap
Pobranie
  • Za zakupy zapłacisz bezpośrednio przy odbiorze paczki. Pamiętaj o przygotowaniu odliczonej kwoty.

    Maksymalna wartość zamówienia płatnego za pobraniem to 6 000 zł.

Jako pierwszy zadaj pytanie dotyczące tego produktu!

BOTLAND B. DERKACZ SPÓŁKA JAWNA Opinie z ekomi-pl.com

Klienci którzy zakupili ten produkt kupili również:

Produkty z tej samej kategorii: