• EOL

Półprzewodniki. Nowoczesne rozwiązania w układach scalonych - Chenming Calvin Hu

Indeks: KSZ-06323 EAN: 9788328320901

Tłumaczenie: Konrad Matuk. Wydawnictwo: Helion. Książka zawiera przydatną wiedzę dotycząca tranzystorów oraz projektowania układów z wykorzystaniem tych rewolucyjnych elementów elektronicznych.

Półprzewodniki. Nowoczesne rozwiązania w układach scalonych - Chenming Calvin Hu
39,90 zł
38,00 zł netto
Zapłać później
Powiadom o dostępności
Niedostępny
Produkt wycofany
Producent: Helion

Uwaga!

Sprzedaż produktu została zakończona. Sprawdź inne w tej kategorii.

Opis

Książka zawiera przydatną wiedzę dotycząca tranzystorów oraz projektowania układów z wykorzystaniem tych rewolucyjnych elementów elektronicznych. Książka skierowana jest przede wszystkim do studentów kierunków technicznych, jednakże chętnie korzystają z niej również doktoranci, inżynierowie i naukowcy.

 

Autor przedstawia  dogłębną analizę zagadnień związanych z podstawowymi komponentami układów elektronicznych. Przybliża zasady działania takich urządzeń, jak ogniwa fotowoltaiczne, diody LED, diody laserowe itp. Książka pozwala na zrozumienie zasad i prawideł oraz opanowanie wiedzy praktycznej w zakresie elektroniki, która jest podstawą również innych dziedzinach technicznych, np. informatyki.

 

Książka zawiera:

  • wprowadzenie do zagadnień związanych z półprzewodnikami z uwzględnieniem rekombinacji elektronów i dziur elektronowych
  • opis technologi produkcji komponentów półprzewodnikowych;
  • zasadę działania złącza p-n i złącza metal-półprzewodnik;
  • informacje o tranzystorach MOS i matrycach CCD i CMOS;
  • wiedzę na temat tranzystorów MOFSET, pamięci SRAM i DRAM oraz pamięci Flash;
  • opis tranzystorów bipolarnych

 

Fragment książki do przeczytania on-line.

 

Spis treści

 

Przedmowa (11)
O autorze (13)

1. Półprzewodniki: elektrony i dziury w półprzewodnikach (15)

  • 1.1. Krystaliczna struktura krzemu (16)
  • 1.2. Model wiązań elektronów i dziur (18)
  • 1.3. Energetyczny model pasmowy (22)
  • 1.4. Półprzewodniki, izolatory i przewodniki (27)
  • 1.5. Elektrony i dziury (29)
  • 1.6. Gęstość stanów (32)
  • 1.7. Równowaga cieplna i funkcja Fermiego (33)
  • 1.8. Koncentracje elektronów i dziur (37)
  • 1.9. Ogólne zagadnienia dotyczące parametrów n i p (43)
  • 1.10. Koncentracje nośników w bardzo niskich i bardzo wysokich temperaturach (47)
  • 1.11. Podsumowanie rozdziału (47)
  • Zadania (49)
  • Bibliografia (54)
  • Publikacje ogólnie związane z tematyką rozdziału (55)

2. Ruch i rekombinacja elektronów i dziur (57)

  • 2.1. Ruch cieplny (57)
  • 2.2. Dryft (60)
  • 2.3. Prąd dyfuzyjny (69)
  • 2.4. Zależność pomiędzy wykresem poziomów energetycznych a napięciem i polem
  • elektrycznym (71)
  • 2.5. Zależność Einsteina pomiędzy D i ( (71)
  • 2.6. Rekombinacja elektron­dziura (74)
  • 2.7. Generacja termiczna (77)
  • 2.8. Quasi­równowaga i poziomy quasi­Fermiego (77)
  • 2.9. Podsumowanie rozdziału (79)
  • Zadania (81)
  • Bibliografia (84)
  • Publikacje ogólnie związane z tematyką rozdziału (84)

 

3. Technologia produkcji komponentów półprzewodnikowych (85)

  • 3.1. Wstęp do produkcji komponentów (86)
  • 3.2. Utlenianie krzemu (88)
  • 3.3. Litografia (89)3.4. Transfer wzorów ­ trawienie (96)
  • 3.5. Domieszkowanie półprzewodnika (99)
  • 3.6. Dyfuzja domieszek (101)
  • 3.7. Osadzanie cienkich warstw (105)
  • 3.8. Proces tworzenia złączy pomiędzy komponentami (110)
  • 3.9. Testowanie, montaż i kwalifikacja (113)
  • 3.10. Podsumowanie rozdziału ­ przykładowy proces produkcji komponentu (114)
  • Zadania (116)
  • Bibliografia (120)
  • Publikacje ogólnie związane z tematyką rozdziału (121)

 

4. Złącze p­n i złącze metal­półprzewodnik (123)

  • Część I. Złącze p­n (123)
    • 4.1. Zagadnienia teoretyczne związane ze złączem p­n (124)
    • 4.2. Model warstwy zubożonej (128)
    • 4.3. Złącze p­n i polaryzacja zaporowa (133)
    • 4.4. Charakterystyki pojemnościowo­napięciowe (134)
    • 4.5. Przebicie złącza p­n (136)
    • 4.6. Iniekcja nośników w polaryzacji przewodzenia i warunkach quasi­równowagi
    • brzegowej (141)
    • 4.7. Równanie ciągłości prądu (144)
    • 4.8. Nośniki nadmiarowe w złączu p­n w polaryzacji przewodzenia (146)
    • 4.9. Charakterystyki prądowo­napięciowe diody półprzewodnikowej (150)
    • 4.10. Magazynowanie ładunku (154)
    • 4.11. Małosygnałowy model diody (155)
  • Część II. Zastosowanie w komponentach optoelektronicznych (156)
    • 4.12. Ogniwa fotowoltaiczne (156)
    • 4.13. Diody elektroluminescencyjne i oświetlenie półprzewodnikowe (164)
    • 4.14. Diody laserowe (170)
    • 4.15. Fotodiody (175)
  • Część III. Złącze metal­półprzewodnik (176)
    • 4.16. Bariera Schottky'ego (176)
    • 4.17. Teoria emisji termoelektronowej (181)
    • 4.18. Diody Schottky'ego (182)
    • 4.19. Zastosowanie diod Schottky'ego (184)
    • 4.20. Tunelowanie kwantowo­mechaniczne (186)
    • 4.21. Kontakt omowy (186)
    • 4.22. Podsumowanie rozdziału (190)
    • Zadania (194)
    • Bibliografia (204)
    • Publikacje ogólnie związane z tematyką rozdziału (205)


5. Kondensator MOS (207)

  • 5.1. Warunek i napięcie pasma płaskiego (208)
  • 5.2. Akumulacja powierzchniowa (210)
  • 5.3. Zubożenie powierzchni (212)
  • 5.4. Warunek progowy i napięcie progowe (213)
  • 5.5. Silna inwersja poza warunkami progowymi (216)
  • 5.6. Charakterystyki pojemnościowo­napięciowe kondensatora MOS (220)
  • 5.7. Ładunek tlenku ­ wpływ na Ufb i Ut (225)
  • 5.8. Zubożenie bramki wykonanej z krzemu polikrystalicznego spowodowane wzrostem T228
  • 5.9. Grubość i efekt kwantowo­mechaniczny warstw inwersji i akumulacji (230)
  • 5.10. Matryca CCD i CMOS (233)
  • 5.11. Podsumowanie rozdziału (240)
  • Zadania (243)
  • Bibliografia (252)
  • Publikacje ogólnie związane z tematyką rozdziału (252)

 


6. Tranzystor MOS (253)

  • 6.1. Tranzystory MOSFET ­ wprowadzenie (253)
  • 6.2. Struktura komplementarna MOS (technologia CMOS) (254)
  • 6.3. Ruchliwości powierzchniowe i układy FET charakteryzujące się dużą mobilnością (260)
  • 6.4. Napięcie Ut, efekt podłoża i domieszkowanie tranzystora MOSFET (267)
  • 6.5. Parametr Qinw charakteryzujący tranzystory MOSFET (271)
  • 6.6. Podstawowy model prądowo­napięciowy tranzystora MOSFET (272)
  • 6.7. Przykładowy układ: inwerter CMOS (276)
  • 6.8. Nasycenie prędkości (282)
  • 6.9. Model prądowo­napięciowy tranzystora MOSFET uwzględniający nasycenie prędkości (284)
  • 6.10. Pasożytnicza rezystancja źródło­dren (289)
  • 6.11. Wyciąganie rezystancji szeregowej i efektywnej długości kanału (290)
  • 6.12. Przerost prędkości i limit prędkości źródła (293)
  • 6.13. Konduktancja wyjściowa (295)
  • 6.14. Wydajność przy wysokich częstotliwościach (296)
  • 6.15. Zakłócenia tranzystorów MOSFET (299)
  • 6.16. SRAM, DRAM i kości pamięci nieulotnej flash (305)
  • 6.17. Podsumowanie rozdziału (314)
  • Zadania (318)
  • Bibliografia (330)
  • Publikacje ogólnie związane z tematyką rozdziału (331)


7. Tranzystory MOSFET w układach scalonych ­ zmiana skali, prąd upływu i inne zagadnienia (333)

  • 7.1. Zmiana skali technologii ­ zmniejszenie kosztów produkcji, wzrost szybkości, zmniejszenie poboru prądu (334)
  • 7.2. Prąd podprogowy ­ "wyłączony" nie oznacza "zupełnie wyłączony" (338)
  • 7.3. Spadek wzmocnienia napięcia Ut ­ tranzystory MOSFET o krótkich kanałach charakteryzują się większym prądem upływu (342)
  • 7.4. Redukcja grubości elektrycznej izolacji bramki i upływ tunelowy (347)
  • 7.5. Redukcja parametru Wzub (349)
  • 7.6. Płytkie złącze i tranzystory MOSFET z metalowymi źródłami i drenami (352)
  • 7.7. Kompromis pomiędzy Iwł i Iwył a opracowywanie projektu pod kątem możliwości produkcji (354)
  • 7.8. Tranzystory MOSFET o bardzo cienkich korpusach i wielu bramkach (357)
  • 7.9. Konduktancja wyjściowa (362)
  • 7.10. Symulacja procesów i komponentów (364)
  • 7.11. Kompaktowy model tranzystora MOSFET używany w symulacji pracy obwodu (365)
  • 7.12. Podsumowanie rozdziału (366)
  • Zadania (368)
  • Bibliografia (371)
  • Publikacje ogólnie związane z tematyką rozdziału (372)

 


8. Tranzystor bipolarny (373)

  • 8.1. Wprowadzenie do tranzystorów BJT (374)
  • 8.2. Prąd kolektora (376)
  • 8.3. Prąd bazy (380)
  • 8.4. Wzmocnienie prądowe (381)
  • 8.5. Modulacja szerokości bazy napięciem kolektora (386)
  • 8.6. Model Ebersa­Molla (389)
  • 8.7. Czas opadania i magazynowanie ładunku (392)
  • 8.8. Model małosygnałowy (396)
  • 8.9. Częstotliwość graniczna (399)
  • 8.10. Model sterowany prądem (400)
  • 8.11. Model do wielkosygnałowej symulacji pracy obwodu (404)
  • 8.12. Podsumowanie rozdziału (406)
  • Zadania (408)
  • Bibliografia (414)
  • Publikacje ogólnie związane z tematyką rozdziału (414)

 


Dodatek A

  • Wyprowadzenie wzorów na gęstość stanów (415)

 

Dodatek B

  • Wyprowadzenie funkcji rozkładu Fermiego­Diraca (419)

 

Dodatek C

  • Samouzgodnienie założeń dotyczących nośników mniejszościowych (423)
  • Odpowiedzi do wybranych zadań (427)

 

Skorowidz (433)

Książka - Autor Chenming Calvin Hu
Książka - ISBN 978-83-283-2090-1
Książka - Oprawa miękka
Książka - Wydawnictwo Helion
Szerokość opakowania 0.001 cm
Wysokość opakowania 0.001 cm
Głębokość opakowania 0.001 cm
Masa opakowania 0.001 kg

Jako pierwszy zadaj pytanie dotyczące tego produktu!

Klienci którzy zakupili ten produkt kupili również:

Produkty z tej samej kategorii: