{"id":96986,"date":"2025-01-05T15:00:50","date_gmt":"2025-01-05T14:00:50","guid":{"rendered":"https:\/\/botland.com.pl\/blog\/?p=96986"},"modified":"2026-04-08T10:44:22","modified_gmt":"2026-04-08T08:44:22","slug":"gaafet-nieudana-rewolucja-w-budowie-tranzystorow","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/botland.com.pl\/blog\/gaafet-nieudana-rewolucja-w-budowie-tranzystorow\/","title":{"rendered":"GAAFET \u2013 nieudana rewolucja w budowie tranzystor\u00f3w?"},"content":{"rendered":"Czas czytania:<\/span> 6<\/span> min.<\/span><\/span>\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t

Je\u015bli spyta\u0107 by kogo\u015b, kto zajmuje si\u0119 elektronik\u0105, jak wygl\u0105da tranzystor<\/a>? Odpowied\u017a brzmia\u0142aby pewnie \u2013 zwyczajnie, niewielki element w hermetycznej obudowie z trzema wyprowadzeniami<\/strong>. Ci nieco kreatywniejsi mogliby powiedzie\u0107, \u017ce obudowy tranzystor\u00f3w bywaj\u0105 r\u00f3\u017cne i zale\u017cnie od ich mocy s\u0105 one wi\u0119ksze lub mniejsze. Odpowied\u017a ta jest jak najbardziej poprawna, wszak\u017ce tak w\u0142a\u015bnie wygl\u0105da tranzystor, jest to element elektroniczny z trzema wyprowadzeniami. Zastan\u00f3wmy si\u0119 jednak czy na pewno?<\/p>

Jak g\u0142osi przys\u0142owie, diabe\u0142 tkwi w szczeg\u00f3\u0142ach i to jak wygl\u0105da tranzystor, mo\u017cna w do\u015b\u0107 prosty spos\u00f3b rozwin\u0105\u0107. Mo\u017cemy zastanowi\u0107 si\u0119, czym tak naprawd\u0119 w gruncie rzeczy jest tranzystor, czy jest to element elektroniczny jako ca\u0142o\u015b\u0107, czy te\u017c mo\u017ce tylko jego rdze\u0144. M\u00f3wimy przecie\u017c, \u017ce w uk\u0142adach scalonych r\u00f3wnie\u017c znajduj\u0105 si\u0119 tranzystory, ale na pr\u00f3\u017cno szuka\u0107 w najnowszym procesorze Intela tych \u201eklasycznych\u201d tranzystor\u00f3w.<\/p>

Wszystko zale\u017cy od punktu widzenia, w zwyczajnym pojedynczym tranzystorze, struktura krzemowa umieszczona wewn\u0105trz b\u0119dzie jego rdzeniem, ale w uk\u0142adzie scalonym, a dok\u0142adniej w jego rdzeniu, r\u00f3wnie\u017c znajdziemy tranzystory, tyle tylko, \u017ce umieszczone we wi\u0119kszym kawa\u0142ku krzemu, kt\u00f3ry skrywa te\u017c inne tajemnice.<\/p>

Na przestrzeni lat, klasyczne tranzystory montowane pocz\u0105tkowo w procesie przewlekanym THT<\/strong>, a p\u00f3\u017aniej powierzchniowym SMD<\/strong> przechodzi\u0142y r\u00f3\u017cne modyfikacje. Zmienia\u0142y si\u0119 rodzaje obud\u00f3w, raster wyprowadze\u0144, ale sam rdze\u0144 pozostawa\u0142 z grubsza taki sam. Oczywi\u015bcie on r\u00f3wnie\u017c z biegiem lat podlega\u0142 stopniowej miniaturyzacji, ale konstrukcyjnie by\u0142 taki sam. Sprawa ta, wygl\u0105d jednak nieco inaczej w przypadku uk\u0142ad\u00f3w scalonych.<\/p>

Uk\u0142ady scalone r\u00f3wnie\u017c ewoluowa\u0142y, mo\u017cna powiedzie\u0107, \u017ce nawet znacznie bardziej ni\u017c tranzystory, poniewa\u017c nie zmienia\u0142 si\u0119 tylko ich fizyczne wymiary, czy te\u017c spos\u00f3b monta\u017cu, ale najwa\u017cniejsz\u0105 kwesti\u0105 by\u0142a tutaj ewolucja krzemowych struktur. Jest to jednak temat bardzo obszerny, kt\u00f3ry znacznie wykracza poza obszar niewielkiego internetowego artyku\u0142u. Dlatego zajmiemy si\u0119 tylko ma\u0142ym skrawkiem krzemowej ewolucji, a dok\u0142adniej sposobem budowy tranzystor\u00f3w w uk\u0142adach scalonych.\u00a0<\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\n\t\t\t\t\t\t\t\"\"\t\t\t\t\t\t\t\t<\/a>\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t
Technologie wytwarzania tranzystor\u00f3w w rdzeniach krzemowych. (https:\/\/www.anandtech.com\/show\/16041\/where-are-my-gaafets-tsmc-to-stay-with-finfet-for-3nm)<\/figcaption>\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t<\/figure>\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t

Tych na przestrzeni lat by\u0142o kilka. Wszystko zaczyna si\u0119 od tranzystor\u00f3w typu Planar FET<\/strong>, te stosowano niemal od czasu powstania pierwszych uk\u0142ad\u00f3w scalonych do pierwszej dekady lat 2000., co trzeba przyzna\u0107, jest do\u015b\u0107 sporym okresem czasu. \u015awiadkami pierwszej rewolucji krzemowej byli\u015bmy w okolicach 2011 roku. To w\u00f3wczas na rynku zacz\u0119\u0142a dominowa\u0107 technologia FinFET<\/strong>, stosowana z powodzeniem po dzi\u015b dzie\u0144. Jednak post\u0119puj\u0105ca miniaturyzacja, potrzeba coraz wi\u0119kszej mocy obliczeniowej motywowana rozwojem sztucznej inteligencji, czy te\u017c pr\u00f3by zoptymalizowania zapotrzebowania na moc wsp\u00f3\u0142czesnych uk\u0142ad\u00f3w scalonych wymog\u0142a na konstruktorach kolejne zmiany. Ich efektem s\u0105 tranzystory GAAFET<\/strong>, dopiero wkraczaj\u0105ce na salony, cho\u0107 na horyzoncie zarysowuje si\u0119 wizja kolejnej modyfikacji, czyli MBCFET<\/strong>.<\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t

Klasyczne tranzystory \u2013 Planar FET<\/h2>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\n\t\t\t\t\t\t\t\"\"\t\t\t\t\t\t\t\t<\/a>\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t
Budowa tranzystor\u00f3w NMOS i PMOS Planar FET. (https:\/\/rafalbartoszak.pl\/sztuka-mikroelektroniki-krzemowe-uklady-scalone\/)<\/figcaption>\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t<\/figure>\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t

Tranzystory typu Planar FET stosowane by\u0142y przez dziesi\u0119ciolecia, staj\u0105c si\u0119 tym samym najbardziej podstawow\u0105 form\u0105 tego rodzaju element\u00f3w w uk\u0142adach scalonych. W swojej konstrukcji tranzystor ten nie jest niczym skomplikowanym. Na grafice powy\u017cej mo\u017cecie zobaczy\u0107 dw\u00f3ch przedstawicieli tej technologii, z kana\u0142em typu N i typu P<\/strong>. Obie konstrukcje s\u0105 do siebie bli\u017aniacze i bazuj\u0105 na tej samej zasadzie dzia\u0142ania, r\u00f3\u017cni\u0105 si\u0119 tylko typem domieszki p\u00f3\u0142przewodnika. W tranzystorach tych wysterowywana odpowiednim napi\u0119ciem baza tworzy kana\u0142 mi\u0119dzy dwoma obszarami drenu i \u017ar\u00f3d\u0142a. Jest on efektem dzia\u0142ania pola elektrycznego i to w\u0142a\u015bnie t\u0119dy przep\u0142ywa pr\u0105d elektryczny.\u00a0<\/p>

Na grafice zauwa\u017cy\u0107 mo\u017cna jeszcze tajemnicze wyprowadzenie oznaczone jako B<\/strong>, po\u0142\u0105czone ze \u017ar\u00f3d\u0142em tranzystora. Jest ono niezb\u0119dne do poprawnego funkcjonowania tego typu element\u00f3w, umieszczonych na krzemowym pod\u0142o\u017cu. Wymagaj\u0105 one, aby miejsce, w kt\u00f3rym znajduje si\u0119 tranzystor, spolaryzowane by\u0142o napi\u0119ciem ze \u017ar\u00f3d\u0142a. Dzi\u0119ki temu sygna\u0142y prze\u0142\u0105czane przez tranzystor, przep\u0142ywaj\u0105cy przez niego pr\u0105d, nie mo\u017ce \u201euciec\u201d. Innymi s\u0142owy, wok\u00f3\u0142 tranzystora powstaje ba\u0144ka, dzi\u0119ki kt\u00f3rej jest on niejako odizolowany od reszty krzemowych element\u00f3w umieszczonych na tym samym pod\u0142o\u017cu.<\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\n\t\t\t\t\t\t\t\"\"\t\t\t\t\t\t\t\t<\/a>\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t
Szereg diod zbudowanych z tranzystor\u00f3w Planar FET.<\/figcaption>\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t<\/figure>\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t

Tranzystory wykonane w opisany wy\u017cej spos\u00f3b to bardzo uniwersalne konstrukcje<\/strong>, do tego stopnia uniwersalne, \u017ce budowano z nich r\u00f3wnie\u017c zwyczajne diody, cho\u0107 wydaje si\u0119, \u017ce s\u0105 to mniej skomplikowane elementy z\u0142o\u017cone tylko z dw\u00f3ch warstw p\u00f3\u0142przewodnika. Jednak w rzeczywisto\u015bci \u0142atwiejsze okazuje si\u0119 po\u0142\u0105czenie bramki i drenu lub \u017ar\u00f3d\u0142a zale\u017cnie od typu kana\u0142u i stworzenie diody w ten spos\u00f3b. Na fotografii powy\u017cej w zaznaczonym prostok\u0105cie mo\u017cecie zobaczy\u0107 w\u0142a\u015bnie tak\u0105 sytuacj\u0119 \u2013 szereg po\u0142\u0105czonych ze sob\u0105 diod w uk\u0142adzie wiekowej ju\u017c przetwornicy UL1520 produkcji Warszawskich zak\u0142ad\u00f3w CEMI.<\/p>

Prostota, niskie koszty produkcji, stabilno\u015b\u0107 i przewidywalno\u015b\u0107 dzia\u0142ania sprawi\u0142y, \u017ce tranzystory Planar FET, sta\u0142y si\u0119 fundamentem wsp\u00f3\u0142czesnej elektroniki<\/strong>. Jednak czas ka\u017cdej technologii mija i tak te\u017c sta\u0142o si\u0119, gdy chipy zacz\u0119\u0142y osi\u0105ga\u0107 poziom oko\u0142o 28nm. Ci\u0105g\u0142e zmniejszanie si\u0119 tranzystor\u00f3w sprawi\u0142o, \u017ce pojawi\u0142 si\u0119 efekt tak zwanego, kr\u00f3tkiego kana\u0142u. Powodowa\u0142 on problemy w kontrolowaniu przep\u0142ywaj\u0105cego pr\u0105du, czego efektem potrafi\u0142o by\u0107 niepoprawne dzia\u0142anie tranzystora, mimo poprawnie spolaryzowanej bramki.<\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t

Pierwsza rewolucja krzemowa \u2013 FinFET <\/h2>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\n\t\t\t\t\t\t\t\"\"\t\t\t\t\t\t\t\t<\/a>\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t
Budowa tranzystora FinFET. (https:\/\/www.ariat-tech.com\/blog\/the-basics-of-finfet-technology.html)<\/figcaption>\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t<\/figure>\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t

Pierwsza tranzystorowa rewolucja, kt\u00f3ra zdetronizowa\u0142a konstrukcje typu Planar FET, mia\u0142a miejsce w okolicach 2011 roku. To w\u00f3wczas firma Intel og\u0142osi\u0142a \u015bwiatu powstanie pierwszej linii technologicznej dla uk\u0142ad\u00f3w wykonanych w procesie 22nm<\/strong> korzystaj\u0105cych z FinFET. By\u0142y nimi procesory niebieskich z serii Ivy Bridge zaprezentowane rok p\u00f3\u017aniej. Warto jednak wiedzie\u0107, \u017ce prace nad technologi\u0105 FinFET rozpocz\u0119to znacznie wcze\u015bniej. Ju\u017c w 1989 roku koncepcja ta zaprezentowana zosta\u0142a przez zesp\u00f3\u0142 z Hitachi Central Research Laboratory. Digh Hisamoto, Toru Kaga, Yoshifumi Kawamoto i Eiji Takeda pochwalili si\u0119 w\u00f3wczas tranzystorem \u201eDELTA\u201d, protoplastom p\u00f3\u017aniejszego FinFET.<\/p>

Pomys\u0142 jak to zwykle bywa w \u015bwiecie technologii, by\u0142 genialny w swej prostocie. Skoro klasyczne tranzystory mog\u0105 mie\u0107 problem ze zbyt w\u0105skim kana\u0142em \u2013 zwi\u0119kszmy go, ale nie w poziome, a w g\u00f3r\u0119. Podej\u015bcie to by\u0142o na sw\u00f3j spos\u00f3b rewolucyjne. Dotychczas budowa tranzystor\u00f3w by\u0142a niejako \u201ep\u0142aska\u201d i tworzy\u0142y go domieszkowane obszary na jednym poziomie p\u00f3\u0142przewodnikowego pod\u0142o\u017ca. Konstrukcje FinFET zrywa\u0142y z t\u0105 zasad\u0105, postanowiono wyci\u0105gn\u0105\u0107 cz\u0119\u015b\u0107 pod\u0142o\u017ca w g\u00f3r\u0119<\/strong>, tak aby stworzy\u0107 obszar otoczony z trzech stron przez bramk\u0119. Krzemowe tranzystory otrzyma\u0142y dodatkowy wymiar \u2013 wysoko\u015b\u0107.<\/p>

Graficzn\u0105 reprezentacj\u0119 konstrukcji FinFET mo\u017cecie zobaczy\u0107 na grafice powy\u017cej. Jak wida\u0107, jest to zasadniczo ten sam tranzystor co wcze\u015bniej, tylko z dodatkow\u0105 \u201ep\u0142etw\u0105\u201d, st\u0105d te\u017c wzi\u0119\u0142a si\u0119 jego nazwa \u201eFin\u201d. W poprzedniej generacji element\u00f3w kana\u0142, kt\u00f3rym przep\u0142ywa\u0142y no\u015bniki \u0142adunku, powstawa\u0142 w okolicach bramki, kt\u00f3ra styka\u0142a si\u0119 z p\u00f3\u0142przewodnikiem tylko w kr\u00f3tkiej przestrzeni mi\u0119dzy drenem a \u017ar\u00f3d\u0142em. St\u0105d te\u017c wynika\u0142 problem zbyt w\u0105skiego kana\u0142u, im mniejsze by\u0142y tranzystory, tym trudniej by\u0142o kontrolowa\u0107 tak ma\u0142y obszar. W rozwi\u0105zaniu FinFET bramka \u0142\u0105czy si\u0119 z p\u00f3\u0142przewodnikiem w trzech miejscach<\/strong>, na trzech \u015bciankach \u201ep\u0142etwy\u201d. W ten spos\u00f3b, po podaniu odpowiedniej warto\u015bci napi\u0119cia na bramk\u0119, tworzy si\u0119 kana\u0142\u00a0na niemal ca\u0142ej powierzchni wyci\u0105gni\u0119tego w g\u00f3r\u0119 obszaru, rozwi\u0105zuj\u0105c problem tranzystora Planar FET.<\/p>

Technologia FinFET, mimo \u017ce prze\u0142omowa nie piastowa\u0142a stanowiska kr\u00f3la budowy p\u00f3\u0142przewodnikowych tranzystor\u00f3w zbyt d\u0142ugo, zw\u0142aszcza je\u015bli spojrzymy na ca\u0142\u0105 histori\u0119 elektroniki. Problemy zacz\u0119\u0142y si\u0119 pojawia\u0107 mniej wi\u0119cej w 2020 roku, gdy fabryki p\u00f3\u0142przewodnik\u00f3w na szerok\u0105 skal\u0119 zacz\u0119\u0142y wytwarza\u0107 chipy w rozmiarze 5nm. Tutaj r\u00f3wnie\u017c winna okaza\u0142a si\u0119 miniaturyzacja. Mniejszy tranzystor, oznacza\u0142 mniejsz\u0105 \u201ep\u0142etw\u0119\u201d a to skutkowa\u0142o ograniczeniami w przep\u0142ywie pr\u0105du. Tak jak przekr\u00f3j przewodu w domowej instalacji mo\u017ce okaza\u0107 si\u0119 zbyt ma\u0142y do warto\u015bci pobieranej energii, tak tym razem okaza\u0142o si\u0119, \u017ce zbyt ma\u0142e s\u0105 kana\u0142y tranzystor\u00f3w<\/strong>. Poza tym FinFET miewa\u0142\u00a0problemy z tak zwanym efektem \u201eparasitic capacitance\u201d, czyli paso\u017cytniczej pojemno\u015bci pojawiaj\u0105cej si\u0119 przy zbyt du\u017cym zag\u0119szczeniu tranzystor\u00f3w. G\u0119sto\u015b\u0107 upakowania ujawnia\u0142a te\u017c kolejny problem, czyli odprowadzanie ciep\u0142a, dlatego te\u017c technologia oczekiwa\u0142a kolejnej rewolucji.<\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t

Druga rewolucja krzemowa \u2013 GAAFET<\/h2>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\n\t\t\t\t\t\t\t\"\"\t\t\t\t\t\t\t\t<\/a>\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t
Przej\u015bcie z FinFET na GAAFET. (https:\/\/twojepc.pl\/news40272\/Intel-chce-produkowac-tranzystory-GAAFET-za-5-lat.html)<\/figcaption>\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t<\/figure>\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t

GAAFET (Gate-All-Around Field Effect Transistor) to kolejny krok w ewolucji tranzystor\u00f3w. Jak wynika z angielskiego rozwini\u0119cia samego skr\u00f3tu, tym razem bramka otacza\u0107 b\u0119dzie kana\u0142, przez kt\u00f3ry przep\u0142ywa\u0107 b\u0119dzie pr\u0105d ze wszystkich czterech stron<\/strong>. Co wi\u0119cej, w tej technologii, kana\u0142\u00f3w mo\u017ce by\u0107 kilka, co eliminuje problemy przepustowo\u015bci znany z FinFET.<\/p>

Co ciekawe pomys\u0142 na GAAFET podobnie jak dekad\u0119 temu nie jest niczym nowym. Pierwsze koncepcje tego typu tranzystor\u00f3w powsta\u0142y mniej wi\u0119cej w tym samym czasie co pierwsze szkice FinFET. Pod koniec lat 80. XX wieku zesp\u00f3\u0142 badawczy z Toshiby w sk\u0142adzie Fujio Masuoka, Hiroshi Takato oraz Kazumasa Sunouchi zaprezentowali \u015bwiatu pierwszy prototyp tranzystora, w kt\u00f3rym bramka otacza\u0142a kana\u0142y, przez kt\u00f3re przep\u0142ywa\u0142y no\u015bniki \u0142adunku. Jednak mimo to przez lata technologia ta by\u0142a zapomniana, przede wszystkim przez swoj\u0105 z\u0142o\u017cono\u015b\u0107<\/strong>. Produkcja GAAFET jest znacznie trudniejsza ni\u017c FinFET, problematyczne okazuje si\u0119 precyzyjne formowanie nanorurek i ich dok\u0142adne otoczenie p\u00f3\u0142przewodnikowym materia\u0142em. W du\u017cym uproszczeniu przy starszych typach tranzystor\u00f3w kolejne warstwy p\u00f3\u0142przewodnika mog\u0105 by\u0107 nak\u0142adane w ca\u0142o\u015bci etapami, przy GAAFET jest to niemo\u017cliwe. Nak\u0142adana jest pojedyncza warstwa bramki z kana\u0142em, p\u00f3\u017aniej kolejna i kolejna, a problemem okazuj\u0105 si\u0119 po\u0142\u0105czenia mi\u0119dzy warstwami tego samego typu.<\/p>

Dlatego w\u0142a\u015bnie GAAFET, cho\u0107 wdra\u017cane s\u0105 jeszcze na pocz\u0105tku swojej drogi. Pierwszymi producentami, kt\u00f3rzy og\u0142osili powszechne stosowanie tej technologii s\u0105 Samsung i Intel (w nomenklaturze Intela GAAFET nazywane s\u0105 RibbonFET). Tranzystory te pojawi\u0105 si\u0119 w 3nm<\/strong> procesie technologicznym tych firm, ale co ciekawe b\u0119d\u0105ce sporym graczem na rynku p\u00f3\u0142przewodnik\u00f3w Tajwa\u0144skie TSMC og\u0142osi\u0142o, \u017ce nadal zamierza stosowa\u0107 FinFETy i dopiero przy przej\u015bciu na proces 2nm planowany na druga po\u0142ow\u0119 2025 roku firma przejdzie na GAAFET.<\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\n\t\t\t\t\t\t\t\"\"\t\t\t\t\t\t\t\t<\/a>\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t
TSMC (FAB14). (https:\/\/www.anandtech.com\/show\/17453\/tsmc-unveils-n2-nanosheets-bring-significant-benefits)<\/figcaption>\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t<\/figure>\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t

Implementacja GAAFET okazuje si\u0119 trudna i problematyczna. Zdarzy\u0142o mi si\u0119 czyta\u0107 artyku\u0142y, w kt\u00f3rych podnoszona by\u0142a teza, czy to, aby na pewno dobra droga i czy nie lepiej by\u0142oby przej\u015b\u0107 od razu na \u201enanosheet\u201d o czym za chwil\u0119. Tranzystory GAAFET, mimo \u017ce wdra\u017cane we wsp\u00f3\u0142czesne procesy produkcyjne wydaj\u0105 si\u0119 rozwi\u0105zaniem przej\u015bciowym<\/strong>. Eliminuj\u0105 one wady FinFET, ale przy okazji generuj\u0105 te\u017c swoje. Wspomina\u0142em ju\u017c o trudno\u015bciach w produkcji, ale jest te\u017c kwestia przekroju samego kana\u0142u, kt\u00f3ry mo\u017ce okaza\u0107 si\u0119 zbyt ma\u0142y, zw\u0142aszcza w procesach mniejszych ni\u017c 2nm. Tym sposobem wracamy do punktu wyj\u015bcia zbyt ma\u0142ej przepustowo\u015bci, ale tym razem konstrukcji GAAFET.<\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t

Nowe horyzonty \u2013 MBCFET <\/h2>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\n\t\t\t\t\t\t\t\"\"\t\t\t\t\t\t\t\t<\/a>\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t
Fragment prezentacji Samsunga GAAFET\/MBCFET. (https:\/\/news.samsungsemiconductor.com\/global\/samsung-begins-chip-production-using-3nm-process-technology-with-gaa-architecture\/)<\/figcaption>\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t<\/figure>\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t

Niemal r\u00f3wnolegle z procesem wdra\u017cania tranzystor\u00f3w GAAFET firma Samsung og\u0142osi\u0142a przygotowania do wdro\u017cenia technologii MBCFET (obecnie nazwa ta zosta\u0142a zastrze\u017cona przez Korea\u0144czyk\u00f3w, dlatego w\u015br\u00f3d innych producent\u00f3w mo\u017cemy spodziewa\u0107 si\u0119 innego nazewnictwa). Jest to rozwini\u0119cie technologii GAAFET z t\u0105 r\u00f3\u017cnic\u0105, \u017ce tym razem zamiast niewielkich kana\u0142\u00f3w w formie rurek zastosowano p\u0142askie warstwy<\/strong>, tak zwane \u201enanosheet\u201d. Osobi\u015bcie nasuwaj\u0105 mi si\u0119 skojarzenia z wielowarstwowymi p\u0142ytkami PCB i \u015bcie\u017ckami umieszczonymi mi\u0119dzy poszczeg\u00f3lnymi warstwami laminatu. Zastosowanie p\u0142askich warstw pozwala zwi\u0119kszy\u0107 przepustowo\u015b\u0107 tranzystor\u00f3w, jak i z najnowszych informacji wynika, \u017ce MBCFET s\u0105 prostsze w produkcji. Same \u015bcie\u017cki r\u00f3wnie\u017c s\u0105 elastyczniejsze pod wzgl\u0119dem konstrukcji, mog\u0105 one by\u0107 szersze lub w\u0119\u017csze, zale\u017cnie od mocy tranzystora.<\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\n\t\t\t\t\t\t\t\"\"\t\t\t\t\t\t\t\t<\/a>\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t
Cleanroom Samsung. (https:\/\/news.samsungsemiconductor.com\/global\/samsung-begins-chip-production-using-3nm-process-technology-with-gaa-architecture\/)<\/figcaption>\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t<\/figure>\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t

Technologia MCBFET wydaje si\u0119 obiecuj\u0105ca. Eliminuje ona problemy swoich poprzednik\u00f3w, oferuj\u0105c dodatkow\u0105 elastyczno\u015b\u0107<\/b>, kt\u00f3rej brakuje tranzystorom GAAFET. Jednak nadal jest to tylko prototyp i fakt, \u017ce dana firma obiecuje jak\u0105\u015b technologie, nie oznacza wcale, \u017ce ta stanie si\u0119 \u015bwiatowym standardem. Je\u015bli kto\u015b nie wierzy, to polecam tutaj jeden z moich wcze\u015bniejszych artyku\u0142\u00f3w o firmie Intel i jej perypetiach mi\u0119dzy innymi z procesem 14nm \u2013 \u201eIntel, czyli lider, kt\u00f3ry nie nad\u0105\u017ca<\/a>\u201d.<\/strong><\/p>

Czas poka\u017ce, w jak\u0105 stron\u0119 wyewoluuj\u0105 krzemowe tranzystory. Wiadome jest jedno, zmiana jest potrzebna, je\u015bli chcemy zachowa\u0107 obecny rozw\u00f3j technologiczny i nadal miniaturyzowa\u0107 uk\u0142ady scalone.\u00a0<\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t
\n\t\t\t
<\/div>\n\t\t<\/div>\n\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t

\u0179r\u00f3d\u0142a:<\/p>

  • https:\/\/www.anandtech.com\/show\/16041\/where-are-my-gaafets-tsmc-to-stay-with-finfet-for-3nm<\/li>
  • https:\/\/www.youtube.com\/watch?v=bfkIp_j0Iv8&t=32s<\/li>
  • https:\/\/rafalbartoszak.pl\/sztuka-mikroelektroniki-krzemowe-uklady-scalone\/<\/li>
  • https:\/\/www.ariat-tech.com\/blog\/the-basics-of-finfet-technology.html<\/li>
  • https:\/\/twojepc.pl\/news40272\/Intel-chce-produkowac-tranzystory-GAAFET-za-5-lat.html<\/li>
  • https:\/\/en.wikipedia.org\/wiki\/Multigate_device<\/li>
  • https:\/\/en.wikipedia.org\/wiki\/2_nm_process<\/li>
  • https:\/\/www.anandtech.com\/show\/17453\/tsmc-unveils-n2-nanosheets-bring-significant-benefits<\/li>
  • https:\/\/resources.pcb.cadence.com\/blog\/2024-the-gaafet-fabrication-process<\/li>
  • https:\/\/news.samsungsemiconductor.com\/global\/samsung-begins-chip-production-using-3nm-process-technology-with-gaa-architecture\/<\/li>
  • https:\/\/www.researchgate.net\/publication\/379259370_From_MOSFET_to_FinFET_to_GAAFET_The_evolution_challenges_and_future_prospects<\/li><\/ul>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

    Tranzystory, cho\u0107 na pierwszy rzut oka niewielkie i proste, skrywaj\u0105 z\u0142o\u017cone struktury, kt\u00f3re ewoluowa\u0142y przez lata. Dowiedz si\u0119, jak zmienia\u0142a si\u0119 ich budowa w uk\u0142adach scalonych na przestrzeni dekad.<\/p>\n","protected":false},"author":34,"featured_media":97028,"comment_status":"closed","ping_status":"closed","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"_acf_changed":false,"footnotes":""},"categories":[136,7],"tags":[],"class_list":["post-96986","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-ciekawostki","category-elektronika"],"acf":[],"yoast_head":"\nGAAFET \u2013 nieudana rewolucja w budowie tranzystor\u00f3w? - Botland<\/title>\n<meta name=\"description\" content=\"Tranzystory, cho\u0107 niewielkie, skrywaj\u0105 z\u0142o\u017cone struktury, kt\u00f3re ewoluowa\u0142y przez lata. Dowiedz si\u0119, jak zmienia\u0142a si\u0119 ich budowa na przestrzeni dekad.\" \/>\n<meta name=\"robots\" content=\"index, follow, max-snippet:-1, max-image-preview:large, max-video-preview:-1\" \/>\n<link rel=\"canonical\" href=\"https:\/\/botland.com.pl\/blog\/gaafet-nieudana-rewolucja-w-budowie-tranzystorow\/\" \/>\n<meta property=\"og:locale\" content=\"pl_PL\" \/>\n<meta property=\"og:type\" content=\"article\" \/>\n<meta property=\"og:title\" content=\"GAAFET \u2013 nieudana rewolucja w budowie tranzystor\u00f3w? - Botland\" \/>\n<meta property=\"og:description\" content=\"Tranzystory, cho\u0107 niewielkie, skrywaj\u0105 z\u0142o\u017cone struktury, kt\u00f3re ewoluowa\u0142y przez lata. Dowiedz si\u0119, jak zmienia\u0142a si\u0119 ich budowa na przestrzeni dekad.\" \/>\n<meta property=\"og:url\" content=\"https:\/\/botland.com.pl\/blog\/gaafet-nieudana-rewolucja-w-budowie-tranzystorow\/\" \/>\n<meta property=\"og:site_name\" content=\"Botland\" \/>\n<meta property=\"article:publisher\" content=\"https:\/\/facebook.com\/Botland\/\" \/>\n<meta property=\"article:published_time\" content=\"2025-01-05T14:00:50+00:00\" \/>\n<meta property=\"article:modified_time\" content=\"2026-04-08T08:44:22+00:00\" \/>\n<meta property=\"og:image\" content=\"https:\/\/botland.com.pl\/blog\/wp-content\/uploads\/2025\/01\/GAAFET.png\" \/>\n\t<meta property=\"og:image:width\" content=\"1510\" \/>\n\t<meta property=\"og:image:height\" content=\"755\" \/>\n\t<meta property=\"og:image:type\" content=\"image\/png\" \/>\n<meta name=\"author\" content=\"Rafa\u0142 Bartoszak\" \/>\n<meta name=\"twitter:card\" content=\"summary_large_image\" \/>\n<meta name=\"twitter:label1\" content=\"Napisane przez\" \/>\n\t<meta name=\"twitter:data1\" content=\"Rafa\u0142 Bartoszak\" \/>\n\t<meta name=\"twitter:label2\" content=\"Szacowany czas czytania\" \/>\n\t<meta name=\"twitter:data2\" content=\"13 minut\" \/>\n<script type=\"application\/ld+json\" class=\"yoast-schema-graph\">{\"@context\":\"https:\\\/\\\/schema.org\",\"@graph\":[{\"@type\":\"Article\",\"@id\":\"https:\\\/\\\/botland.com.pl\\\/blog\\\/gaafet-nieudana-rewolucja-w-budowie-tranzystorow\\\/#article\",\"isPartOf\":{\"@id\":\"https:\\\/\\\/botland.com.pl\\\/blog\\\/gaafet-nieudana-rewolucja-w-budowie-tranzystorow\\\/\"},\"author\":{\"name\":\"Rafa\u0142 Bartoszak\",\"@id\":\"https:\\\/\\\/botland.com.pl\\\/blog\\\/#\\\/schema\\\/person\\\/5a69e7f5db1f77c617f990e73bb83215\"},\"headline\":\"GAAFET \u2013 nieudana rewolucja w budowie tranzystor\u00f3w?\",\"datePublished\":\"2025-01-05T14:00:50+00:00\",\"dateModified\":\"2026-04-08T08:44:22+00:00\",\"mainEntityOfPage\":{\"@id\":\"https:\\\/\\\/botland.com.pl\\\/blog\\\/gaafet-nieudana-rewolucja-w-budowie-tranzystorow\\\/\"},\"wordCount\":2277,\"publisher\":{\"@id\":\"https:\\\/\\\/botland.com.pl\\\/blog\\\/#organization\"},\"image\":{\"@id\":\"https:\\\/\\\/botland.com.pl\\\/blog\\\/gaafet-nieudana-rewolucja-w-budowie-tranzystorow\\\/#primaryimage\"},\"thumbnailUrl\":\"https:\\\/\\\/botland.com.pl\\\/blog\\\/wp-content\\\/uploads\\\/2025\\\/01\\\/GAAFET.png\",\"articleSection\":[\"Ciekawostki\",\"Elektronika\"],\"inLanguage\":\"pl-PL\"},{\"@type\":\"WebPage\",\"@id\":\"https:\\\/\\\/botland.com.pl\\\/blog\\\/gaafet-nieudana-rewolucja-w-budowie-tranzystorow\\\/\",\"url\":\"https:\\\/\\\/botland.com.pl\\\/blog\\\/gaafet-nieudana-rewolucja-w-budowie-tranzystorow\\\/\",\"name\":\"GAAFET \u2013 nieudana rewolucja w budowie tranzystor\u00f3w? - Botland\",\"isPartOf\":{\"@id\":\"https:\\\/\\\/botland.com.pl\\\/blog\\\/#website\"},\"primaryImageOfPage\":{\"@id\":\"https:\\\/\\\/botland.com.pl\\\/blog\\\/gaafet-nieudana-rewolucja-w-budowie-tranzystorow\\\/#primaryimage\"},\"image\":{\"@id\":\"https:\\\/\\\/botland.com.pl\\\/blog\\\/gaafet-nieudana-rewolucja-w-budowie-tranzystorow\\\/#primaryimage\"},\"thumbnailUrl\":\"https:\\\/\\\/botland.com.pl\\\/blog\\\/wp-content\\\/uploads\\\/2025\\\/01\\\/GAAFET.png\",\"datePublished\":\"2025-01-05T14:00:50+00:00\",\"dateModified\":\"2026-04-08T08:44:22+00:00\",\"description\":\"Tranzystory, cho\u0107 niewielkie, skrywaj\u0105 z\u0142o\u017cone struktury, kt\u00f3re ewoluowa\u0142y przez lata. Dowiedz si\u0119, jak zmienia\u0142a si\u0119 ich budowa na przestrzeni dekad.\",\"breadcrumb\":{\"@id\":\"https:\\\/\\\/botland.com.pl\\\/blog\\\/gaafet-nieudana-rewolucja-w-budowie-tranzystorow\\\/#breadcrumb\"},\"inLanguage\":\"pl-PL\",\"potentialAction\":[{\"@type\":\"ReadAction\",\"target\":[\"https:\\\/\\\/botland.com.pl\\\/blog\\\/gaafet-nieudana-rewolucja-w-budowie-tranzystorow\\\/\"]}]},{\"@type\":\"ImageObject\",\"inLanguage\":\"pl-PL\",\"@id\":\"https:\\\/\\\/botland.com.pl\\\/blog\\\/gaafet-nieudana-rewolucja-w-budowie-tranzystorow\\\/#primaryimage\",\"url\":\"https:\\\/\\\/botland.com.pl\\\/blog\\\/wp-content\\\/uploads\\\/2025\\\/01\\\/GAAFET.png\",\"contentUrl\":\"https:\\\/\\\/botland.com.pl\\\/blog\\\/wp-content\\\/uploads\\\/2025\\\/01\\\/GAAFET.png\",\"width\":1510,\"height\":755},{\"@type\":\"BreadcrumbList\",\"@id\":\"https:\\\/\\\/botland.com.pl\\\/blog\\\/gaafet-nieudana-rewolucja-w-budowie-tranzystorow\\\/#breadcrumb\",\"itemListElement\":[{\"@type\":\"ListItem\",\"position\":1,\"name\":\"Strona g\u0142\u00f3wna\",\"item\":\"https:\\\/\\\/botland.com.pl\\\/blog\\\/\"},{\"@type\":\"ListItem\",\"position\":2,\"name\":\"GAAFET \u2013 nieudana rewolucja w budowie tranzystor\u00f3w?\"}]},{\"@type\":\"WebSite\",\"@id\":\"https:\\\/\\\/botland.com.pl\\\/blog\\\/#website\",\"url\":\"https:\\\/\\\/botland.com.pl\\\/blog\\\/\",\"name\":\"Botland\",\"description\":\"Blog Raspberry Pi, Arduino, elektronika i robotyka - Botland\",\"publisher\":{\"@id\":\"https:\\\/\\\/botland.com.pl\\\/blog\\\/#organization\"},\"potentialAction\":[{\"@type\":\"SearchAction\",\"target\":{\"@type\":\"EntryPoint\",\"urlTemplate\":\"https:\\\/\\\/botland.com.pl\\\/blog\\\/?s={search_term_string}\"},\"query-input\":{\"@type\":\"PropertyValueSpecification\",\"valueRequired\":true,\"valueName\":\"search_term_string\"}}],\"inLanguage\":\"pl-PL\"},{\"@type\":\"Organization\",\"@id\":\"https:\\\/\\\/botland.com.pl\\\/blog\\\/#organization\",\"name\":\"Botland\",\"url\":\"https:\\\/\\\/botland.com.pl\\\/blog\\\/\",\"logo\":{\"@type\":\"ImageObject\",\"inLanguage\":\"pl-PL\",\"@id\":\"https:\\\/\\\/botland.com.pl\\\/blog\\\/#\\\/schema\\\/logo\\\/image\\\/\",\"url\":\"https:\\\/\\\/botland.store\\\/blog\\\/wp-content\\\/uploads\\\/2018\\\/04\\\/logo_kolor_WP_2-1.png\",\"contentUrl\":\"https:\\\/\\\/botland.store\\\/blog\\\/wp-content\\\/uploads\\\/2018\\\/04\\\/logo_kolor_WP_2-1.png\",\"width\":250,\"height\":57,\"caption\":\"Botland\"},\"image\":{\"@id\":\"https:\\\/\\\/botland.com.pl\\\/blog\\\/#\\\/schema\\\/logo\\\/image\\\/\"},\"sameAs\":[\"https:\\\/\\\/facebook.com\\\/Botland\\\/\"]},{\"@type\":\"Person\",\"@id\":\"https:\\\/\\\/botland.com.pl\\\/blog\\\/#\\\/schema\\\/person\\\/5a69e7f5db1f77c617f990e73bb83215\",\"name\":\"Rafa\u0142 Bartoszak\",\"image\":{\"@type\":\"ImageObject\",\"inLanguage\":\"pl-PL\",\"@id\":\"https:\\\/\\\/botland.com.pl\\\/blog\\\/wp-content\\\/uploads\\\/2023\\\/07\\\/IMG_21531-300x300.jpg\",\"url\":\"https:\\\/\\\/botland.com.pl\\\/blog\\\/wp-content\\\/uploads\\\/2023\\\/07\\\/IMG_21531-300x300.jpg\",\"contentUrl\":\"https:\\\/\\\/botland.com.pl\\\/blog\\\/wp-content\\\/uploads\\\/2023\\\/07\\\/IMG_21531-300x300.jpg\",\"caption\":\"Rafa\u0142 Bartoszak\"},\"description\":\"Wsp\u00f3\u0142pracuj\u0105cy z Botlandem elektronik, kt\u00f3ry dzieli si\u0119 swoj\u0105 wiedz\u0105 w internecie. Entuzjasta system\u00f3w cyfrowych, uk\u0142ad\u00f3w programowalnych i mikroelektroniki. Pasjonat historii, ze szczeg\u00f3lnym naciskiem na wiek XX.\",\"url\":\"https:\\\/\\\/botland.com.pl\\\/blog\\\/author\\\/rafal-bartoszak\\\/\"}]}<\/script>\n<!-- \/ Yoast SEO plugin. -->","yoast_head_json":{"title":"GAAFET \u2013 nieudana rewolucja w budowie tranzystor\u00f3w? - Botland","description":"Tranzystory, cho\u0107 niewielkie, skrywaj\u0105 z\u0142o\u017cone struktury, kt\u00f3re ewoluowa\u0142y przez lata. Dowiedz si\u0119, jak zmienia\u0142a si\u0119 ich budowa na przestrzeni dekad.","robots":{"index":"index","follow":"follow","max-snippet":"max-snippet:-1","max-image-preview":"max-image-preview:large","max-video-preview":"max-video-preview:-1"},"canonical":"https:\/\/botland.com.pl\/blog\/gaafet-nieudana-rewolucja-w-budowie-tranzystorow\/","og_locale":"pl_PL","og_type":"article","og_title":"GAAFET \u2013 nieudana rewolucja w budowie tranzystor\u00f3w? - Botland","og_description":"Tranzystory, cho\u0107 niewielkie, skrywaj\u0105 z\u0142o\u017cone struktury, kt\u00f3re ewoluowa\u0142y przez lata. Dowiedz si\u0119, jak zmienia\u0142a si\u0119 ich budowa na przestrzeni dekad.","og_url":"https:\/\/botland.com.pl\/blog\/gaafet-nieudana-rewolucja-w-budowie-tranzystorow\/","og_site_name":"Botland","article_publisher":"https:\/\/facebook.com\/Botland\/","article_published_time":"2025-01-05T14:00:50+00:00","article_modified_time":"2026-04-08T08:44:22+00:00","og_image":[{"width":1510,"height":755,"url":"https:\/\/botland.com.pl\/blog\/wp-content\/uploads\/2025\/01\/GAAFET.png","type":"image\/png"}],"author":"Rafa\u0142 Bartoszak","twitter_card":"summary_large_image","twitter_misc":{"Napisane przez":"Rafa\u0142 Bartoszak","Szacowany czas czytania":"13 minut"},"schema":{"@context":"https:\/\/schema.org","@graph":[{"@type":"Article","@id":"https:\/\/botland.com.pl\/blog\/gaafet-nieudana-rewolucja-w-budowie-tranzystorow\/#article","isPartOf":{"@id":"https:\/\/botland.com.pl\/blog\/gaafet-nieudana-rewolucja-w-budowie-tranzystorow\/"},"author":{"name":"Rafa\u0142 Bartoszak","@id":"https:\/\/botland.com.pl\/blog\/#\/schema\/person\/5a69e7f5db1f77c617f990e73bb83215"},"headline":"GAAFET \u2013 nieudana rewolucja w budowie tranzystor\u00f3w?","datePublished":"2025-01-05T14:00:50+00:00","dateModified":"2026-04-08T08:44:22+00:00","mainEntityOfPage":{"@id":"https:\/\/botland.com.pl\/blog\/gaafet-nieudana-rewolucja-w-budowie-tranzystorow\/"},"wordCount":2277,"publisher":{"@id":"https:\/\/botland.com.pl\/blog\/#organization"},"image":{"@id":"https:\/\/botland.com.pl\/blog\/gaafet-nieudana-rewolucja-w-budowie-tranzystorow\/#primaryimage"},"thumbnailUrl":"https:\/\/botland.com.pl\/blog\/wp-content\/uploads\/2025\/01\/GAAFET.png","articleSection":["Ciekawostki","Elektronika"],"inLanguage":"pl-PL"},{"@type":"WebPage","@id":"https:\/\/botland.com.pl\/blog\/gaafet-nieudana-rewolucja-w-budowie-tranzystorow\/","url":"https:\/\/botland.com.pl\/blog\/gaafet-nieudana-rewolucja-w-budowie-tranzystorow\/","name":"GAAFET \u2013 nieudana rewolucja w budowie tranzystor\u00f3w? - Botland","isPartOf":{"@id":"https:\/\/botland.com.pl\/blog\/#website"},"primaryImageOfPage":{"@id":"https:\/\/botland.com.pl\/blog\/gaafet-nieudana-rewolucja-w-budowie-tranzystorow\/#primaryimage"},"image":{"@id":"https:\/\/botland.com.pl\/blog\/gaafet-nieudana-rewolucja-w-budowie-tranzystorow\/#primaryimage"},"thumbnailUrl":"https:\/\/botland.com.pl\/blog\/wp-content\/uploads\/2025\/01\/GAAFET.png","datePublished":"2025-01-05T14:00:50+00:00","dateModified":"2026-04-08T08:44:22+00:00","description":"Tranzystory, cho\u0107 niewielkie, skrywaj\u0105 z\u0142o\u017cone struktury, kt\u00f3re ewoluowa\u0142y przez lata. Dowiedz si\u0119, jak zmienia\u0142a si\u0119 ich budowa na przestrzeni dekad.","breadcrumb":{"@id":"https:\/\/botland.com.pl\/blog\/gaafet-nieudana-rewolucja-w-budowie-tranzystorow\/#breadcrumb"},"inLanguage":"pl-PL","potentialAction":[{"@type":"ReadAction","target":["https:\/\/botland.com.pl\/blog\/gaafet-nieudana-rewolucja-w-budowie-tranzystorow\/"]}]},{"@type":"ImageObject","inLanguage":"pl-PL","@id":"https:\/\/botland.com.pl\/blog\/gaafet-nieudana-rewolucja-w-budowie-tranzystorow\/#primaryimage","url":"https:\/\/botland.com.pl\/blog\/wp-content\/uploads\/2025\/01\/GAAFET.png","contentUrl":"https:\/\/botland.com.pl\/blog\/wp-content\/uploads\/2025\/01\/GAAFET.png","width":1510,"height":755},{"@type":"BreadcrumbList","@id":"https:\/\/botland.com.pl\/blog\/gaafet-nieudana-rewolucja-w-budowie-tranzystorow\/#breadcrumb","itemListElement":[{"@type":"ListItem","position":1,"name":"Strona g\u0142\u00f3wna","item":"https:\/\/botland.com.pl\/blog\/"},{"@type":"ListItem","position":2,"name":"GAAFET \u2013 nieudana rewolucja w budowie tranzystor\u00f3w?"}]},{"@type":"WebSite","@id":"https:\/\/botland.com.pl\/blog\/#website","url":"https:\/\/botland.com.pl\/blog\/","name":"Botland","description":"Blog Raspberry Pi, Arduino, elektronika i robotyka - Botland","publisher":{"@id":"https:\/\/botland.com.pl\/blog\/#organization"},"potentialAction":[{"@type":"SearchAction","target":{"@type":"EntryPoint","urlTemplate":"https:\/\/botland.com.pl\/blog\/?s={search_term_string}"},"query-input":{"@type":"PropertyValueSpecification","valueRequired":true,"valueName":"search_term_string"}}],"inLanguage":"pl-PL"},{"@type":"Organization","@id":"https:\/\/botland.com.pl\/blog\/#organization","name":"Botland","url":"https:\/\/botland.com.pl\/blog\/","logo":{"@type":"ImageObject","inLanguage":"pl-PL","@id":"https:\/\/botland.com.pl\/blog\/#\/schema\/logo\/image\/","url":"https:\/\/botland.store\/blog\/wp-content\/uploads\/2018\/04\/logo_kolor_WP_2-1.png","contentUrl":"https:\/\/botland.store\/blog\/wp-content\/uploads\/2018\/04\/logo_kolor_WP_2-1.png","width":250,"height":57,"caption":"Botland"},"image":{"@id":"https:\/\/botland.com.pl\/blog\/#\/schema\/logo\/image\/"},"sameAs":["https:\/\/facebook.com\/Botland\/"]},{"@type":"Person","@id":"https:\/\/botland.com.pl\/blog\/#\/schema\/person\/5a69e7f5db1f77c617f990e73bb83215","name":"Rafa\u0142 Bartoszak","image":{"@type":"ImageObject","inLanguage":"pl-PL","@id":"https:\/\/botland.com.pl\/blog\/wp-content\/uploads\/2023\/07\/IMG_21531-300x300.jpg","url":"https:\/\/botland.com.pl\/blog\/wp-content\/uploads\/2023\/07\/IMG_21531-300x300.jpg","contentUrl":"https:\/\/botland.com.pl\/blog\/wp-content\/uploads\/2023\/07\/IMG_21531-300x300.jpg","caption":"Rafa\u0142 Bartoszak"},"description":"Wsp\u00f3\u0142pracuj\u0105cy z Botlandem elektronik, kt\u00f3ry dzieli si\u0119 swoj\u0105 wiedz\u0105 w internecie. Entuzjasta system\u00f3w cyfrowych, uk\u0142ad\u00f3w programowalnych i mikroelektroniki. Pasjonat historii, ze szczeg\u00f3lnym naciskiem na wiek XX.","url":"https:\/\/botland.com.pl\/blog\/author\/rafal-bartoszak\/"}]}},"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/botland.com.pl\/blog\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/96986","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/botland.com.pl\/blog\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/botland.com.pl\/blog\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/botland.com.pl\/blog\/wp-json\/wp\/v2\/users\/34"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/botland.com.pl\/blog\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=96986"}],"version-history":[{"count":0,"href":"https:\/\/botland.com.pl\/blog\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/96986\/revisions"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/botland.com.pl\/blog\/wp-json\/wp\/v2\/media\/97028"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/botland.com.pl\/blog\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=96986"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/botland.com.pl\/blog\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=96986"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/botland.com.pl\/blog\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=96986"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}