{"id":81420,"date":"2024-10-06T10:00:13","date_gmt":"2024-10-06T08:00:13","guid":{"rendered":"https:\/\/botland.com.pl\/blog\/?p=81420"},"modified":"2026-04-08T10:48:26","modified_gmt":"2026-04-08T08:48:26","slug":"bc337-co-to-jest-dane-techniczne-schemat-cena-i-opinie","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/botland.com.pl\/blog\/bc337-co-to-jest-dane-techniczne-schemat-cena-i-opinie\/","title":{"rendered":"BC337 \u2013 Co to jest? Dane techniczne, schemat"},"content":{"rendered":"Czas czytania:<\/span> 3<\/span> min.<\/span><\/span>\t\t
\n\t\t\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t
\n\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t

W niniejszym artykule, zg\u0142\u0119bimy tajniki dotycz\u0105ce komponentu o symbolu BC337. BC337 jest tranzystorem bipolarnym<\/strong> og\u00f3lnego przeznaczenia, kt\u00f3ry jest u\u017cywany g\u0142\u00f3wnie do wzmacniania sygna\u0142\u00f3w d\u017awi\u0119kowych o ni\u017cszej mocy, a tak\u017ce jako elektroniczny prze\u0142\u0105cznik. BC337 nale\u017cy do rodziny tranzystor\u00f3w NPN i zapewnia maksymalne wzmocnienie wynosz\u0105ce 630. Ci\u0105g\u0142y pr\u0105d kolektora wynosi 800mA, co oznacza, \u017ce tranzystor BC337 mo\u017ce sterowa\u0107 obci\u0105\u017ceniami o poborze pr\u0105du do 800mA.<\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t

BC337 - cechy charakterystyczne komponentu<\/h2>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t

BC337<\/a>\u00a0to tranzystor NPN u\u017cywany g\u0142\u00f3wnie do wzmacniania d\u017awi\u0119ku o ni\u017cszej mocy i cel\u00f3w prze\u0142\u0105czania. BC337 zawiera trzy wyprowadzenia, tj.\u00a0emiter, baza i kolektor<\/span>. Niewielki pr\u0105d bazy jest wykorzystywany do wytwarzania du\u017cej zmiany pr\u0105du w pozosta\u0142ych wyprowadzenia tranzystora. Zjawisko to wykorzystywane jest\u00a0do cel\u00f3w wzmocnienia<\/span>.<\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

\n\t\t\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t
\n\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\n\t\t\t\t\t\t\t\"\"\t\t\t\t\t\t\t\t<\/a>\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t
Tranzystor bipolarny NPN BC337-40 45V\/0,8A - 5szt..<\/figcaption>\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t<\/figure>\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\n\t\t\t\t\t\t\n\t\t\t\t\t\t\t\t\tSPRAWD\u0179<\/span>\n\t\t\t\t\t<\/span>\n\t\t\t\t\t<\/a>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t

BC337 sk\u0142ada si\u0119 z trzech warstw, tj. jednej warstwy domieszkowanej typu p i dw\u00f3ch warstw domieszkowanych typu n.\u00a0Warstwa domieszkowana typu p<\/span>\u00a0jest umieszczona pomi\u0119dzy\u00a0dwiema warstwami domieszkowanymi typu n<\/span>. Zacisk podstawowy jest dodatni, a pozosta\u0142e dwa zaciski s\u0105 ujemne. Poniewa\u017c jest to\u00a0tranzystor NPN<\/a>, g\u0142\u00f3wnymi no\u015bnikami \u0142adunku b\u0119d\u0105 elektrony. Chocia\u017c w przewodnictwie bior\u0105 udzia\u0142 zar\u00f3wno elektrony, jak i dziury, w tym przypadku g\u0142\u00f3wnymi no\u015bnikami s\u0105 elektrony, w przeciwie\u0144stwie do\u00a0tranzystor\u00f3w PNP<\/a>, w kt\u00f3rych g\u0142\u00f3wnymi no\u015bnikami s\u0105 dziury. Nale\u017cy zauwa\u017cy\u0107, \u017ce tranzystory NPN s\u0105 preferowane w stosunku do tranzystor\u00f3w PNP, poniewa\u017c ruchliwo\u015b\u0107 elektron\u00f3w jest znacznie lepsza i szybsza ni\u017c ruchliwo\u015b\u0107 dziur.<\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t<\/div>\n\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t<\/section>\n\t\t\t\t

\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t

W niekt\u00f3rych przypadkach, w projektach elektronicznych stosuje si\u0119 kombinacj\u0119 tranzystor\u00f3w NPN i PNP w formie <\/span>pary komplementarnej<\/strong>. W tranzystorze NPN, pr\u0105d przep\u0142ywa od kolektora do emitera, w przeciwie\u0144stwie do tranzystora PNP, gdzie pr\u0105d przep\u0142ywa od emitera do kolektora. Jednak w obu przypadkach,<\/span> baza jest g\u0142\u00f3wnym elementem<\/strong> odpowiedzialnym za sterowanie tranzystora. Kiedy napi\u0119cie zostanie przy\u0142o\u017cone do bazy, ulega polaryzacji, emitera zaczyna emitowa\u0107 elektrony, kt\u00f3rych przep\u0142yw jest nast\u0119pnie sterowany przez pr\u0105d bazy i w ten spos\u00f3b elektrony s\u0105 gromadzone przez kolektor. Emiter tranzystora BC337 jest silnie domieszkowany w por\u00f3wnaniu do pozosta\u0142ych dw\u00f3ch wyprowadze\u0144. Przez emiter przep\u0142ywa ca\u0142kowity pr\u0105d tranzystora, kt\u00f3ry jest sum\u0105 pr\u0105du kolektora i pr\u0105du bazy.<\/span><\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t

Podstawowe konfiguracje pracy tranzystora NPN BC337<\/h2>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t

BC337 jest u\u017cywany g\u0142\u00f3wnie w trzech nast\u0119puj\u0105cych konfiguracjach:<\/p>

  1. konfiguracja wsp\u00f3lnego emitera;<\/strong><\/li>
  2. konfiguracja wsp\u00f3lnego kolektora;<\/strong><\/li>
  3. konfiguracja wsp\u00f3lnej bazy.<\/strong><\/li><\/ol>

    Konfiguracja wsp\u00f3lnego emitera zapewnia odpowiednie warto\u015bci znamionowe napi\u0119cia i pr\u0105du potrzebne do cel\u00f3w wzmocnienia. Ta konfiguracja jest u\u017cywana do cel\u00f3w wzmacniania. Wsp\u00f3\u0142czynnik wzmocnienia pokazuje natur\u0119 wzmocnienia. Jest to stosunek pr\u0105du kolektora do pr\u0105du bazy i jest oznaczony jako \u00df. Wzmocnienie pr\u0105dowe jest kolejnym wa\u017cnym czynnikiem, kt\u00f3ry jest stosunkiem pr\u0105du kolektora do pr\u0105du emitera. Jest oznaczony przez i jest znany jako alfa. Warto\u015b\u0107 alfa mie\u015bci si\u0119 w przedziale od 0,95 do 0,99, ale przewa\u017cnie te warto\u015b\u0107 przyjmuje si\u0119 jako jedno\u015b\u0107.<\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

    \n\t\t\t\t
    \n\t\t\t\t\t

    BC337 - zasada dzia\u0142ania tranzystora bipolarnego NPN<\/h2>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
    \n\t\t\t\t
    \n\t\t\t\t\t\t\t\t\t

    Baza tranzystora<\/strong> odgrywa kluczow\u0105 rol\u0119 w uruchomieniu ca\u0142ego mechanizmu przewodnictwa tranzystora. Kiedy napi\u0119cie zostanie przy\u0142o\u017cone po stronie bazy, zostaje ono spolaryzowane i rozpoczyna przep\u0142yw elektron\u00f3w w tranzystorze. Pr\u0105d bazy faktycznie dzia\u0142a jak warto\u015b\u0107 kontrolna, kt\u00f3ra wyznacza ilo\u015b\u0107 elektron\u00f3w emitowane z obszaru emitera, kt\u00f3re s\u0105 nast\u0119pnie zbierane przez stron\u0119 kolektora. Ma\u0142y pr\u0105d bazy s\u0142u\u017cy do sterowania du\u017cym pr\u0105dem na pozosta\u0142ych dw\u00f3ch zaciskach. Proces ten jest stosowany w celach wzmocnienia pr\u0105du. Tranzystor BC337<\/a> pe\u0142ni tak\u017ce funkcj\u0119 prze\u0142\u0105cznika. Kiedy pe\u0142ni funkcj\u0119 prze\u0142\u0105cznika, przekszta\u0142ca ma\u0142y pr\u0105d obecny po jednej stronie zacisku na znacznie wi\u0119kszy pr\u0105d p\u0142yn\u0105cy na pozosta\u0142ych wyprowadzeniach tranzystora. Baza ma zawsze potencja\u0142 dodatni w odniesieniu do zacisk\u00f3w emitera i kolektora. Natomiast napi\u0119cie po stronie kolektora jest zawsze dodatnie wzgl\u0119dem emitera. Po stronie kolektora stosuje si\u0119 dodatkowy rezystor<\/a> w celu ograniczenia przep\u0142ywu pr\u0105du.<\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

    \n\t\t\t\t
    \n\t\t\t\t\t

    BC337 - maksymalne dopuszczalne parametry robocze<\/h2>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
    \n\t\t\t\t
    \n\t\t\t\t\t\t\t\t\t

    Poni\u017csza\u00a0tabela przedstawia warto\u015bci maksymalnych dopuszczalnych parametr\u00f3w znamionowych komponentu BC337:<\/span><\/p>

    BC337 – maksymalne warto\u015bci dopuszczalne<\/td><\/tr>
    Lp.<\/td>Nazwa parametru<\/td>Symbol<\/td>Warto\u015b\u0107<\/td>Jednostka<\/td><\/tr>
    1<\/td>Napi\u0119cie kolektor-emiter<\/td>Vce<\/td>45<\/td>V<\/td><\/tr>
    2<\/td>Napi\u0119cie baza – kolektor<\/td>Vcb<\/td>50<\/td>V<\/td><\/tr>
    3<\/td>Napi\u0119cie emiter – baza<\/td>Veb<\/td>5<\/td>V<\/td><\/tr>
    4<\/td>Pr\u0105d kolektora<\/td>Ic<\/td>800<\/td>mA<\/td><\/tr>
    5<\/td>Wzmocnienie pr\u0105dowe<\/td>hfe<\/td>100 to 630<\/td><\/tr>
    6<\/td>Cz\u0119stotliwo\u015b\u0107 robocza<\/td>ft<\/td>100<\/td>MHz<\/td><\/tr>
    7<\/td>Temperatura przechowywania<\/td>Tstg<\/td>-55 to 150<\/td>C<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><\/div>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
    \n\t\t\t\t
    \n\t\t\t\t\t\t\t
    \n\t\t\t
    <\/div>\n\t\t<\/div>\n\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
    \n\t\t\t\t
    \n\t\t\t\t\t

    BC337 - zamienniki komponentu<\/h2>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
    \n\t\t\t\t
    \n\t\t\t\t\t\t\t\t\t

    By\u0107 mo\u017ce natrafi\u0142e\u015b na schemat projektu, w kt\u00f3rym zosta\u0142y u\u017cyte niestandardowe tranzystory<\/a>. Okazuje si\u0119, \u017ce cz\u0119sto ich parametry s\u0105 zbli\u017cone do innych tranzystor\u00f3w, w tym r\u00f3wnie\u017c BC337. Nast\u0119puj\u0105ce tranzystory mog\u0105 by\u0107 u\u017cyte jako zamiennik BC337 o zbli\u017conych parametrach. Alternatyw\u0105 dla BC337 s\u0105 m.in.:<\/p>