{"id":5388,"date":"2020-08-11T13:01:06","date_gmt":"2020-08-11T11:01:06","guid":{"rendered":"https:\/\/botland.com.pl\/blog\/?p=5388"},"modified":"2025-01-17T09:55:53","modified_gmt":"2025-01-17T08:55:53","slug":"fotorezystor-jak-to-dziala","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/botland.com.pl\/blog\/fotorezystor-jak-to-dziala\/","title":{"rendered":"Fotorezystor – Jak to dzia\u0142a?"},"content":{"rendered":"Czas czytania:<\/span> 6<\/span> min.<\/span><\/span>\t\t
\n\t\t\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t
\n\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t

Fotorezystor - opis dzia\u0142ania<\/h2>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t

Fotorezystory <\/a><\/b>(LDR – ang. Light Dependent Resistor<\/em>) to elementy elektroniczne, kt\u00f3re cz\u0119sto s\u0105 wykorzystywane w takich aplikacjach, w kt\u00f3rych jedn\u0105 z funkcji jest kontrola obecno\u015bci lub braku o\u015bwietlenia, a tak\u017ce pomiar nat\u0119\u017cenia \u015bwiat\u0142a. W otoczeniu o bardzo dobrym zaciemnieniu (a tym samym bardzo s\u0142abym o\u015bwietleniu lub jego braku) rezystancja fotorezystora jest najwy\u017csza i w zale\u017cno\u015bci od elementu mo\u017ce wynosi\u0107 od kilku k\u03a9 do nawet 10M\u03a9. Natomiast, kiedy fotorezystor zostaje wystawiony na dzia\u0142anie \u015bwiat\u0142a (bez wzgl\u0119du na to, czy jest to \u015bwiat\u0142o naturalne – np. s\u0142oneczne, czy te\u017c \u015bwiat\u0142o sztuczne – np. z \u017car\u00f3wki w lampie biurkowej), warto\u015b\u0107 jego rezystancji diametralnie spada, nawet do warto\u015bci kilku Om\u00f3w, zale\u017cnie od nat\u0119\u017cenia o\u015bwietlenia emitowanego ze \u017ar\u00f3d\u0142a \u015bwiat\u0142a.\u00a0<\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t
Fotorezystor – zastosowanie<\/strong>. Fotorezystory s\u0105 cz\u0119sto wykorzystywane jako detektory \u015bwiat\u0142a, kontroluj\u0105ce za\u0142\u0105czanie i wy\u0142\u0105czanie \u017ar\u00f3d\u0142a \u015bwiat\u0142a. Przyk\u0142adem takiego zastosowania s\u0105 lampy uliczne, kt\u00f3re zapalaj\u0105 si\u0119 w zale\u017cno\u015bci od docieraj\u0105cego promieniowania \u015bwietlnego.<\/div>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\n\t\t\t\t\t\t\t\"\"\t\t\t\t\t\t\t\t<\/a>\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t
Fotorezystor 50-100 k\u03a9 GL5539.<\/figcaption>\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t<\/figure>\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t

Czu\u0142o\u015b\u0107 fotorezystora zmienia si\u0119 wraz z d\u0142ugo\u015bci\u0105 fali \u015bwiat\u0142a padaj\u0105cego na jego powierzchni\u0119 w spos\u00f3b nieliniowy. Mo\u017cna je spotka\u0107 w r\u00f3\u017cnych aplikacjach, cho\u0107 coraz cz\u0119\u015bciej zamiast fototranzystor\u00f3w wykorzystywane s\u0105 fotodiody, fototranzystory, a tak\u017ce transoptory (optoizolatory, np. SHARP PC900V popularnie stosowany w interfejsach MIDI). Z powodu zaostrzenia prawa dotycz\u0105cego utylizacji elektro\u015bmieci w \u015bwietle ochrony \u015brodowiska, niekt\u00f3re kraje zakaza\u0142y u\u017cywania w produkcji elektroniki fotorezystor\u00f3w o strukturze wykonanej cz\u0119\u015bciowo z metali ci\u0119\u017ckich (g\u0142\u00f3wnie kadmu i o\u0142owiu).<\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t

Rodzaje fotorezystor\u00f3w i ich mechanizmy przewodnictwa elektrycznego<\/h3>

W zale\u017cno\u015bci od zastosowanych materia\u0142\u00f3w fotorezystory mo\u017cna zasadniczo podzieli\u0107 ze wzgl\u0119du na typ zastosowanego p\u00f3\u0142przewodnika, tj. samoistny <\/b>lub niesamoistny<\/b>. Fotorezystory wykorzystuj\u0105ce p\u00f3\u0142przewodniki samoistne s\u0105 produkowane z materia\u0142\u00f3w pozbawionych domieszkowania, takich jak np. krzem i german, kt\u00f3rych elementarna struktura zawiera po tyle samo wolnych elektron\u00f3w, co dziur elektronowych. W takich p\u00f3\u0142przewodnikach padaj\u0105ce na ich powierzchni\u0119 \u015bwiat\u0142o (fotony) powoduje pobudzenie elektron\u00f3w znajduj\u0105cych si\u0119 w pa\u015bmie walencyjnym i przeniesienie ich w pasmo przewodnictwa.\u00a0<\/p>

Efektem takiego procesu jest zwi\u0119kszenie ilo\u015bci wolnych elektron\u00f3w w strukturze p\u00f3\u0142przewodnika (kt\u00f3re stanowi\u0105 no\u015bniki \u0142adunku elektrycznego), za spraw\u0105 kt\u00f3rego spada jego rezystywno\u015b\u0107. Natomiast fotorezystory zbudowane w oparciu o p\u00f3\u0142przewodniki niesamoistne, wykorzystuj\u0105 materia\u0142y zawieraj\u0105ce zanieczyszczenia w postaci domieszek innych pierwiastk\u00f3w chemicznych. W takich p\u00f3\u0142przewodnikach domieszki tworz\u0105 nowe pasma energetyczne zdominowane przez elektrony, powy\u017cej istniej\u0105cego pasma walencyjnego. W takiej sytuacji elektrony zawarte w nowo utworzonym pa\u015bmie wymagaj\u0105 dostarczenia mniejszej ilo\u015bci energii niezb\u0119dnej do przej\u015bcia w pasmo przewodnictwa, dzi\u0119ki mniejszej szeroko\u015bci przerwy zabronionej.\u00a0<\/p>

Dzi\u0119ki temu zjawisku p\u00f3\u0142przewodnik samoistny reaguje na fale \u015bwietlne o r\u00f3\u017cnych d\u0142ugo\u015bciach w taki spos\u00f3b, \u017ce im wy\u017csze nat\u0119\u017cenie \u015bwiat\u0142a, tym wi\u0119kszy spadek rezystywno\u015bci i w konsekwencji – rezystancji. Z takiego opisu zjawiska wynika, \u017ce charakterystyka fotorezystora (jego rezystancji w funkcji nat\u0119\u017cenia \u015bwiat\u0142a padaj\u0105cego na powierzchni\u0119 jego struktury zewn\u0119trznej) ma kszta\u0142t zbli\u017cony do krzywej hiperbolicznej, kt\u00f3ra wykazuje proporcjonalno\u015b\u0107 odwrotn\u0105 rezystancji wzgl\u0119dem nat\u0119\u017cenia \u015bwiat\u0142a. Najpro\u015bciej ujmuj\u0105c w spos\u00f3b do\u015bwiadczalny, je\u015bli do wyprowadze\u0144 fotorezystora pod\u0142\u0105czymy sondy miernika cyfrowego (ustawionego w tryb omomierza) i w dobrze o\u015bwietlonym pomieszczeniu zas\u0142onimy r\u0119k\u0105 g\u00f3rn\u0105 powierzchni\u0119 fotorezystora, to w miar\u0119 stopniowego ods\u0142aniania fotorezystora w kierunku \u017ar\u00f3d\u0142a \u015bwiat\u0142a, b\u0119dziemy mogli zaobserwowa\u0107 na wy\u015bwietlaczu miernika, \u017ce warto\u015b\u0107 rezystancji maleje.<\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t

Fotorezystory – zale\u017cno\u015b\u0107 czu\u0142o\u015bci od d\u0142ugo\u015bci fali \u015bwietlnej<\/h3>\n

Czu\u0142o\u015b\u0107 fotorezystora<\/b> ulega zmianom wraz z d\u0142ugo\u015bci\u0105 fali \u015bwietlnej, kt\u00f3ra na niego pada. Je\u015bli jednak warto\u015b\u0107 d\u0142ugo\u015bci fali znajduje si\u0119 poza pewnym zakresem, to nie b\u0119dzie to mia\u0142o jakiegokolwiek wp\u0142ywu na zmian\u0119 warto\u015bci rezystancji tego fotorezystora, co wynika z jego konstrukcji, poniewa\u017c r\u00f3\u017cne materia\u0142y wykazuj\u0105 r\u00f3\u017cne charakterystyki odpowiedzi spektralnej, kt\u00f3re obrazuj\u0105 zale\u017cno\u015b\u0107 czu\u0142o\u015bci od d\u0142ugo\u015bci fali \u015bwietlnej. Fotorezystory wykonane z p\u00f3\u0142przewodnik\u00f3w niesamoistnych s\u0105 zwykle projektowane z my\u015bl\u0105 o obwodach i uk\u0142adach, kt\u00f3re funkcjonuj\u0105 w \u015brodowiskach, w kt\u00f3rych d\u0142ugo\u015b\u0107 fali \u015bwietlnej osi\u0105ga wi\u0119ksze warto\u015bci ni\u017c typowo w przypadku widzialnego \u015bwiat\u0142a s\u0142onecznego, wchodz\u0105c w zakres d\u0142ugo\u015bci fali bli\u017cszych podczerwieni. W takim \u015brodowisku nale\u017cy zadba\u0107 o \u015brodki zapobiegaj\u0105ce gromadzeniu si\u0119 nadmiernej ilo\u015bci ciep\u0142a, kt\u00f3re mo\u017ce mie\u0107 powa\u017cny wp\u0142yw na zmian\u0119 rezystancji fotorezystora i zafa\u0142szowa\u0107 pomiar wskutek cz\u0119\u015bciowej lub ca\u0142kowitej degradacji w\u0142a\u015bciwo\u015bci jego struktury. <\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t

Parametr czu\u0142o\u015bci, zjawisko latencji i niedoskona\u0142o\u015bci fotorezystor\u00f3w<\/h3>\n\n\n

\nW odr\u00f3\u017cnieniu od fotodiody, fototranzystora i transoptora, fotorezystory wykazuj\u0105 mniejsz\u0105 czu\u0142o\u015b\u0107 na \u015bwiat\u0142o. Wymienione alternatywy dla fototranzystora to prawdziwe, aktywne elementy p\u00f3\u0142przewodnikowe, kt\u00f3re wykorzystuj\u0105 \u015bwiat\u0142o jak bodziec steruj\u0105cy przemieszczaniem si\u0119 elektron\u00f3w i dziur elektronowych przez z\u0142\u0105cze typu p-n, podczas gdy fotorezystory s\u0105 tak naprawd\u0119 elementami pasywnymi o znacznie prostszym mechanizmie elektroprzewodnictwa. Je\u015bli nat\u0119\u017cenie \u015bwiat\u0142a ma sta\u0142\u0105 warto\u015b\u0107, to nawet mimo tego warto\u015b\u0107 rezystancji mo\u017ce ulec zmianie wskutek fluktuacji temperatury. Z tego powodu fotorezystory nie s\u0105 zbyt dobrymi elementami do stosowania w precyzyjnych przyrz\u0105dach do pomiaru parametr\u00f3w \u015bwiat\u0142a. Ciekaw\u0105 w\u0142a\u015bciwo\u015bci\u0105 fotorezystor\u00f3w jest latencja, tj. czas mijaj\u0105cy pomi\u0119dzy zmian\u0105 w\u0142a\u015bciwo\u015bci \u017ar\u00f3d\u0142a \u015bwiat\u0142a (a przede wszystkim jego nat\u0119\u017cenia) a zmian\u0105 rezystancji fotorezystora. Parametr, kt\u00f3ry opisuje to zjawisko, to czas reakcji fotorezystora. W wi\u0119kszo\u015bci przypadk\u00f3w czas ten wynosi od kilku do kilkudziesi\u0119ciu milisekund dla zmiany warto\u015bci rezystancji z maksymalnej na minimaln\u0105, tj. poprzez b\u0142yskawiczne wyeksponowanie fotorezystora z ca\u0142kowitego zaciemnienia w stron\u0119 \u017ar\u00f3d\u0142a \u015bwiat\u0142a. Natomiast w drug\u0105 stron\u0119, odbudowanie maksymalnej warto\u015bci rezystancji przez zaciemnienie po ekspozycji na \u015bwiat\u0142o, mo\u017ce zaj\u0105\u0107 nawet do jednej sekundy. Z powodu takiej du\u017cej latencji fotorezystory nie s\u0105 wystarczaj\u0105co precyzyjne do stosowania w takich aplikacjach, kt\u00f3rych celem jest rejestrowanie szybkich zmian nat\u0119\u017cenia \u015bwiat\u0142a w dziedzinie czasu, ale ta niedoskona\u0142o\u015b\u0107 jest w zamian ch\u0119tnie wykorzystywana w in\u017cynierii d\u017awi\u0119ku w takich efektach jak kompresory i limitery, kt\u00f3rych zadaniem jest stabilizowanie zadanego poziomu sygna\u0142u audio.\n<\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\n\t\t\t\t\t\t\t\"Fotorezystory\"\t\t\t\t\t\t\t\t<\/a>\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t

Fotorezystory<\/h4>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\n\t\t\t\t\t\t\n\t\t\t\t\t\t\t\t\tSPRAWD\u0179<\/span>\n\t\t\t\t\t<\/span>\n\t\t\t\t\t<\/a>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t

W\u0142a\u015bciwo\u015bci fizykochemiczne i przebieg procesu produkcyjnego fotorezystor\u00f3w\u200b\u200b<\/h2>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t

W 1873 roku Willoughby Smith – brytyjski in\u017cynier elektryk, na podstawie swoich bada\u0144 naukowych odkry\u0142, \u017ce selen wykazuje w\u0142a\u015bciwo\u015bci fotoelektryczne, co sta\u0142o si\u0119 impulsem do badania zjawiska fotoprzewodnictwa w innych pierwiastkach i zwi\u0105zkach chemicznych. W latach 30. i 40. XX wieku prowadzono prace badawcze pod k\u0105tem wyst\u0119powania efektu fotoelektrycznego w zwi\u0105zkach o\u0142owiu z siark\u0105, selenem i tellurem oraz zacz\u0119to u\u017cywa\u0107 krzemu i germanu w aplikacjach wykorzystuj\u0105cych zjawisko fotoprzewodnictwa. Wsp\u00f3\u0142czesne konstrukcje fotorezystor\u00f3w opieraj\u0105 si\u0119 na siarczku o\u0142owiu (II), selenku o\u0142owiu (II), antymonku indu, a tak\u017ce coraz cz\u0119\u015bciej – siarczku kadmu i selenku kadmu w postaci sproszkowanej w mieszance z materia\u0142em wi\u0105\u017c\u0105cym. W procesie produkcyjnym taka mieszanka jest st\u0142aczana na prasie, a nast\u0119pnie spiekana w wysokiej temperaturze. Monta\u017c elektrod \u015bwiat\u0142oczu\u0142ych na powierzchni fotorezystora odbywa si\u0119 poprzez naparowanie pr\u00f3\u017cniowe cienkich warstw p\u00f3\u0142przewodnikowych, uformowanych w kszta\u0142t grzebieni, rozdzielonych warstw\u0105 \u015bwiat\u0142oczu\u0142\u0105. Nast\u0119pnie do elektrod s\u0105 pod\u0142\u0105czane wyprowadzenia ko\u0144cowe fotorezystora, a elektrody i powierzchnia \u015bwiat\u0142oczu\u0142a s\u0105 zabezpieczane przezroczyst\u0105 warstw\u0105 ochronn\u0105 wykonan\u0105 najcz\u0119\u015bciej ze szk\u0142a lub tworzywa sztucznego. Charakterystyka spektralna siarczku kadmu zawiera si\u0119 w charakterystyce spektralnej ludzkiego wzroku. Ten materia\u0142 najwi\u0119ksz\u0105 czu\u0142o\u015b\u0107 wykazuje dla fal \u015bwietlnych o d\u0142ugo\u015bci z przedzia\u0142u 500 – 600 nm, kt\u00f3re s\u0105 zawarte w spektrum \u015bwiat\u0142a widzialnego dla ludzkiego oka (380 – 750 nm).\u00a0<\/p>

Zgodnie z dyrektyw\u0105 RoHS (ang.\u00a0Risk of Hazardous Substances<\/em>) o\u0142\u00f3w i kadm nale\u017c\u0105 do substancji szkodliwych dla \u015brodowiska i ich u\u017cywanie w produkcji elektroniki jest w niekt\u00f3rych krajach prawnie zabronione.<\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t

\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t

Fotorezystory w zastosowaniach\u200b<\/h2>\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t

Najcz\u0119\u015bciej fotorezystory s\u0105 wykorzystywane jako czujniki \u015bwiat\u0142a. W najprostszej aplikacji maj\u0105 za zadanie wykrywa\u0107 obecno\u015b\u0107 lub brak \u015bwiat\u0142a, ale mog\u0105 tak\u017ce s\u0142u\u017cy\u0107 w prostych aplikacjach pomiaru nat\u0119\u017cenia \u015bwiat\u0142a – za popularne przyk\u0142ady mog\u0105 pos\u0142u\u017cy\u0107 \u015bwiat\u0142omierze fotograficzne oraz czujniki zmierzchowe, steruj\u0105ce za\u0142\u0105czaniem i wy\u0142\u0105czaniem o\u015bwietlenia ulic i park\u00f3w. Fotorezystory s\u0105 cz\u0119sto tak\u017ce u\u017cywane w konstrukcjach robot\u00f3w typu\u00a0line follower<\/em>\u00a0bior\u0105cych udzia\u0142 w zawodach i konkursach. W\u00f3wczas fotorezystory wsp\u00f3\u0142pracuj\u0105 z diodami LED, tworz\u0105c w ten spos\u00f3b prosty system nawigacji, kt\u00f3ry informuje uk\u0142ad sterowania robota o konieczno\u015bci zmiany kierunku poruszania si\u0119 tak, aby \u015bledzi\u0142 tor ruchu, wzd\u0142u\u017c kt\u00f3rego robot ma za zadanie przejecha\u0107.\u00a0<\/p>

W uk\u0142adach elektronicznych, kt\u00f3rych zadaniem jest wykrywanie \u015bwiat\u0142a jako bod\u017aca wyzwalaj\u0105cego za\u0142\u0105czanie lub wy\u0142\u0105czanie obwod\u00f3w, zwykle istnieje mo\u017cliwo\u015b\u0107 zmiany nastawy progu zadzia\u0142ania. W\u00f3wczas szeregowo z fotorezystorem jest po\u0142\u0105czony potencjometr regulacyjny, za pomoc\u0105 kt\u00f3rego mo\u017cna przesun\u0105\u0107 charakterystyk\u0119 fotorezystora, modyfikuj\u0105c w ten spos\u00f3b progow\u0105 warto\u015b\u0107 pr\u0105du w jego obwodzie, po kt\u00f3rej przekroczeniu powstanie spadek napi\u0119cia w obwodzie sterowanym, kt\u00f3ry spowoduje jego za\u0142\u0105czenie lub wy\u0142\u0105czenie – np. cewki przeka\u017anika lub bramki tranzystora MOSFET steruj\u0105cego pr\u0105dem w obwodzie o\u015bwietleniowym wn\u0119trza ch\u0142odziarko-zamra\u017carki. W takich i podobnych aplikacjach mo\u017cna tak\u017ce pod\u0142\u0105czy\u0107 fotorezystor do wej\u015bcia przetwornika ADC w mikrokontrolerze i za pomoc\u0105 preskalera wej\u015bciowego w timerze programowo nastawi\u0107 warto\u015b\u0107 bitow\u0105, odpowiadaj\u0105c\u0105 napi\u0119ciu progowemu, po kt\u00f3rego przekroczeniu program musi zrealizowa\u0107 instrukcj\u0119 ustawienia wybranych pin\u00f3w cyfrowych (do kt\u00f3rych s\u0105 pod\u0142\u0105czone np. przeka\u017aniki obwod\u00f3w sieciowych) w stan wysoki. Fotorezystory s\u0105 tak\u017ce popularnie stosowane w technice studyjnej i w elektronice muzycznej, w takich urz\u0105dzeniach jak kompresory i limitery d\u017awi\u0119ku.\u00a0<\/p>

Zadaniem takich urz\u0105dze\u0144 jest korygowanie poziomu wej\u015bciowego wzmacniacza w czasie rzeczywistym w momentach, w kt\u00f3rych warto\u015b\u0107 szczytowa sygna\u0142u audio przekracza ustawiony pr\u00f3g. Taki proces jest realizowany poprzez wzmacnianie tych harmonicznych sygna\u0142\u00f3w, kt\u00f3rych amplituda nie przekracza ustawionego progu, co zapobiega przesterowaniu harmonicznych o warto\u015bci szczytowej oscyluj\u0105cej w pobli\u017cu nastawionego progu zadzia\u0142ania kompresora. W takich urz\u0105dzeniach do realizacji obwodu kompresji sygna\u0142u audio u\u017cywa si\u0119\u00a0optocouplera<\/em>, tj. fotorezystora zamkni\u0119tego w chroni\u0105cej przed \u015bwiat\u0142em obudowie wraz z diod\u0105 LED, kt\u00f3ra jest pod\u0142\u0105czona do \u017ar\u00f3d\u0142a sygna\u0142u. W\u00f3wczas zmiany w nat\u0119\u017ceniu \u015bwiat\u0142a emitowanego przez diod\u0119 LED odpowiadaj\u0105 zmianom poziomu sygna\u0142u audio (napi\u0119cia elektrycznego, kt\u00f3re odwzorowuje ten sygna\u0142). Z uwagi na obecno\u015b\u0107 zjawiska latencji w fotorezystorach, narastanie i opadanie sygna\u0142u audio ulega wyg\u0142adzeniu. W takich aplikacjach optymalny czas latencji mie\u015bci si\u0119 w 100ms. D\u017awi\u0119k jest w\u00f3wczas skutecznie pozbawiany niezamierzonych zniekszta\u0142ce\u0144.<\/p>\t\t\t\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t<\/div>\n\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t<\/div>\n\t\t\t\t\t<\/div>\n\t\t<\/section>\n\t\t\t\t

\n\t\t\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t
\n\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t
\n\t\t\t\t
\n\t\t\t\t\t\t\t\t\t
\n

Fotorezystor – FAQ<\/h2>\n\n
\n
\n